| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 课题背景和研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 红外探测器的发展 | 第11-12页 |
| 1.3 国内外研究进展及分析 | 第12-19页 |
| 1.3.1 红外探测器材料的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3.2 InAs/GaSb 超晶格材料的性质 | 第14-16页 |
| 1.3.3 基于 InAs/GaSb 超晶格体系的研究进展 | 第16-19页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 材料制备方法及分析测试技术 | 第21-36页 |
| 2.1 材料的制备方法 | 第21-25页 |
| 2.1.1 实验设备 | 第21-22页 |
| 2.1.2 MBE 原理和生长技术的特点 | 第22-24页 |
| 2.1.3 RHEED 原位监控技术 | 第24-25页 |
| 2.2 材料制备的主要过程 | 第25-28页 |
| 2.2.1 衬底的选择与处理 | 第25-26页 |
| 2.2.2 GaSb 缓冲层的生长设计 | 第26-27页 |
| 2.2.3 InAs 层的生长设计 | 第27-28页 |
| 2.2.4 InAs/GaSb 超晶格层的生长设计 | 第28页 |
| 2.3 材料的分析测试方法 | 第28-34页 |
| 2.3.1 原子力显微镜 | 第28-29页 |
| 2.3.2 双晶 X 射线衍射 DCXRD | 第29-30页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 | 第30-31页 |
| 2.3.4 霍尔(HALL)效应测试 | 第31-33页 |
| 2.3.5 电化学 ECV 方法 | 第33-34页 |
| 2.3.6 拉曼散射(Raman scattering)光谱测量 | 第34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第3章 材料的外延生长与结构质量表征 | 第36-58页 |
| 3.1 GaSb 缓冲层 | 第36-38页 |
| 3.1.1 缓冲层的生长工艺 | 第36-37页 |
| 3.1.2 缓冲层的 AFM 表面形貌分析 | 第37-38页 |
| 3.1.3 缓冲层结构质量的 XRD 分析 | 第38页 |
| 3.2 InAs 层的生长 | 第38-40页 |
| 3.2.1 生长工艺 | 第38-39页 |
| 3.2.2 表面形貌的 AFM 分析 | 第39-40页 |
| 3.2.3 结构质量的 XRD 分析 | 第40页 |
| 3.3 多层异质结薄膜 | 第40-44页 |
| 3.3.1 薄膜的生长工艺 | 第40-41页 |
| 3.3.2 薄膜材料结晶质量的 XRD 分析 | 第41-44页 |
| 3.3.3 薄膜厚度的扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第44页 |
| 3.4 InAs/GaSb 超晶格材料 | 第44-57页 |
| 3.4.1 材料的生长工艺 | 第45-46页 |
| 3.4.2 材料表面形貌的 AFM 和横截面的 SEM 分析 | 第46-51页 |
| 3.4.3 材料的 DCXRD 衍射分析 | 第51-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第4章 材料的电学性能研究 | 第58-66页 |
| 4.1 掺杂状况的电化学分析 | 第58-59页 |
| 4.2 异质结薄膜的霍尔测试分析 | 第59-60页 |
| 4.3 超晶格薄膜的霍尔测试分析 | 第60-62页 |
| 4.4 超晶格导电类型转变现象的分析 | 第62-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 第5章 材料的光学性能研究 | 第66-72页 |
| 5.1 拉曼散射光谱的分析 | 第66-70页 |
| 5.2 超晶格界面状况的分析 | 第70-71页 |
| 5.3 本章小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
