| 摘要 | 第2-3页 |
| ABSTRACT | 第3页 |
| 1 引言 | 第6-8页 |
| 2 UIS 工作机理及其在功率MOS 器件中的应用 | 第8-20页 |
| 2.1 UIS 的工作机理 | 第8-14页 |
| 2.1.1 UIS 的基本原理 | 第8-9页 |
| 2.1.2 UIS 电流的模拟示意图 | 第9-11页 |
| 2.1.3 单脉冲UIS 测试波形图 | 第11-12页 |
| 2.1.4 UIS 失效 | 第12-14页 |
| 2.2 MOS 器件中UIS 机理的应用 | 第14-18页 |
| 2.2.1 UIS 机理的应用 | 第14-15页 |
| 2.2.2 UIS 测试对芯片和组装问题的筛选 | 第15-18页 |
| 2.3 UIS 的测试机理 | 第18-20页 |
| 3 提升功率MOS 器件UIS 能力的几种方法 | 第20-24页 |
| 3.1 改善 contact 工艺 | 第20页 |
| 3.2 device design 改变 | 第20-22页 |
| 3.3 减小RB 的阻值 | 第22-24页 |
| 4 改善UIS 能力的实际案例 | 第24-39页 |
| 4.1 A 器件的 UIS 能力改进 | 第24-32页 |
| 4.2 B 器件的 UIS 能力改进 | 第32-38页 |
| 4.3 结论 | 第38-39页 |
| 5 总结和期望 | 第39-40页 |
| 6 参考文献 | 第40-41页 |
| 附录1 功率 MOS 器件的特性参数 | 第41-42页 |
| 致谢 | 第42-43页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第43页 |