| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 论文的研究背景与研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 CMOS毫米波压控振荡器的发展现状 | 第11-12页 |
| 1.3 论文的主要内容及结构 | 第12-14页 |
| 第二章 CMOS毫米波压控振荡器的设计基础 | 第14-30页 |
| 2.1 振荡器的基本模型 | 第14-18页 |
| 2.1.1 反馈型振荡器 | 第14-15页 |
| 2.1.2 负阻型振荡器 | 第15-18页 |
| 2.2 压控振荡器的基本参数 | 第18-25页 |
| 2.2.1 压控振荡器的指标分析 | 第19-20页 |
| 2.2.2 相位噪声 | 第20-23页 |
| 2.2.3 低功耗、低相位噪声的设计考虑 | 第23-25页 |
| 2.3 毫米波压控振荡器无源器件的分析 | 第25-30页 |
| 2.3.1 传输线 | 第25-26页 |
| 2.3.2 电感 | 第26-30页 |
| 第三章 CMOS工艺上压控振荡器的设计 | 第30-45页 |
| 3.1 基于开口谐振环结构的电感 | 第30-34页 |
| 3.1.1 开口谐振环结构 | 第30-32页 |
| 3.1.2 基于开口谐振环结构的电感设计 | 第32-34页 |
| 3.2 基于开口谐振环电感 140GHz压控振荡器的设计 | 第34-37页 |
| 3.2.1 电路的实现 | 第34-35页 |
| 3.2.2 电路的仿真 | 第35-37页 |
| 3.3 CMOS数字可控电感 | 第37-42页 |
| 3.3.1 数字可控的差分传输线结构 | 第37-39页 |
| 3.3.2 数字可控的差分传输线结构的仿真 | 第39-42页 |
| 3.4 宽带压控振荡器的设计 | 第42-45页 |
| 3.4.1 电路的实现 | 第42-43页 |
| 3.4.2 电路的仿真 | 第43-45页 |
| 第四章 基于注入锁定的正交压控振荡器的设计 | 第45-59页 |
| 4.1 注入锁定正交压控振荡器基本原理 | 第45-50页 |
| 4.1.1 注入锁定概述 | 第45-48页 |
| 4.1.2 正交信号的产生 | 第48-50页 |
| 4.2 注入锁定正交VCO的电路结构分析 | 第50-55页 |
| 4.2.1 正交压控振荡器的产生原理 | 第50-52页 |
| 4.2.2 注入耦合正交压控振荡器结构分析 | 第52-55页 |
| 4.3 基于注入锁定的正交压控振荡器的实现 | 第55-59页 |
| 4.3.1 基于注入锁定的正交压控振荡器的设计 | 第55-56页 |
| 4.3.2 电路的版图设计 | 第56-57页 |
| 4.3.3 仿真结果验证 | 第57-58页 |
| 4.3.4 小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结和展望 | 第59-61页 |
| 5.1 总结 | 第59页 |
| 5.2 展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 附录 | 第67页 |