具有复杂结构的硅基MEMS压力敏感膜片的制作及其应用研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-14页 |
·引言 | 第9-10页 |
·MEMS技术 | 第10-13页 |
·MEMS技术基本特征 | 第10-11页 |
·MEMS技术分类 | 第11-12页 |
·MEMS技术发展趋势 | 第12-13页 |
·论文主要研究内容 | 第13-14页 |
第二章 MEMS光刻工艺 | 第14-24页 |
·光刻基本原理 | 第14-15页 |
·光刻掩模版 | 第15-16页 |
·光刻胶 | 第16-19页 |
·正性光刻胶 | 第16-17页 |
·负性光刻胶 | 第17-18页 |
·涂覆光刻胶 | 第18-19页 |
·光学光刻机 | 第19-23页 |
·光刻曝光 | 第20-21页 |
·光刻对准 | 第21-23页 |
·本章小节 | 第23-24页 |
第三章 MEMS刻蚀工艺 | 第24-32页 |
·湿法刻蚀 | 第24-28页 |
·硅基各向同性刻蚀 | 第24-26页 |
·硅基各向异性刻蚀 | 第26-28页 |
·干法刻蚀 | 第28-31页 |
·等离子体 | 第28-29页 |
·离子束溅射刻蚀与等离子体刻蚀 | 第29-30页 |
·反应离子刻蚀 | 第30-31页 |
·本章小结 | 第31-32页 |
第四章 压力敏感环形波纹状氮化硅膜 | 第32-52页 |
·引言 | 第32页 |
·氮化硅膜模版设计 | 第32-34页 |
·氮化硅膜光刻加工 | 第34-41页 |
·硅片清洗、烘焙 | 第34-36页 |
·旋转涂胶、前烘 | 第36-38页 |
·对准、曝光 | 第38-39页 |
·显影、后烘 | 第39-40页 |
·光刻图形镜检 | 第40-41页 |
·氮化硅膜刻蚀加工 | 第41-47页 |
·氮化硅膜环形波纹立体结构制作 | 第41-43页 |
·氮化硅薄膜PECVD沉积 | 第43-45页 |
·氮化硅膜中心反射膜制作 | 第45-47页 |
·ICP深硅通孔刻蚀 | 第47-51页 |
·本章小结 | 第51-52页 |
第五章 总结与展望 | 第52-53页 |
·总结 | 第52页 |
·展望 | 第52-53页 |
参考文献 | 第53-59页 |
攻读硕士学位期间论文发表 | 第59页 |
攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第59-60页 |
致谢 | 第60页 |