| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·MOSFET器件的研究进展 | 第9-13页 |
| ·MOSFET二维模型半解析法求解的发展趋势 | 第13-14页 |
| ·本文所做的工作 | 第14-16页 |
| 第二章 MOSFET二维模型解法 | 第16-25页 |
| ·建立MOSFET二维模型 | 第16-18页 |
| ·求解二维模型 | 第18-25页 |
| ·数值法分析及求解步骤 | 第18-21页 |
| ·半解析法分析及求解步骤 | 第21-25页 |
| 第三章 半解析法求解MOSFET二维模型 | 第25-48页 |
| ·求解高k栅MOSFET栅氧化层电容和寄生电容 | 第25-34页 |
| ·建立定解问题 | 第26-29页 |
| ·半解析法解定解问题 | 第29-31页 |
| ·计算栅氧化层电容和寄生电容 | 第31-34页 |
| ·亚阈状态下短沟道MOSFET阈值电压和电流的求解 | 第34-48页 |
| ·建立二维电势的半解析模型,求待定系数及耗尽层厚度 | 第34-41页 |
| ·阈值电压的半解析法求解 | 第41-43页 |
| ·亚阈值下沟道电流的计算 | 第43-48页 |
| 第四章 结论分析 | 第48-59页 |
| ·电势分布结果分析验证 | 第48-49页 |
| ·寄生电容结果分析验证 | 第49-54页 |
| ·耗尽层厚度的计算结果 | 第54-55页 |
| ·MOSFET的阈值电压计算结果 | 第55页 |
| ·亚阈值电流结果分析验证 | 第55-59页 |
| 第五章 总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第65页 |