深PN结芯片的深沟槽腐蚀研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·课题研究意义 | 第8-10页 |
| ·深 PN 结芯片扩散流程及结构 | 第10-11页 |
| ·沟槽腐蚀工艺方法现状 | 第11-12页 |
| ·沟槽腐蚀相关工艺流程及分析 | 第12-13页 |
| ·本章小结 | 第13-15页 |
| 第二章 理论基础 | 第15-38页 |
| ·深 PN 结芯片的扩散机理 | 第15-20页 |
| ·深 PN 结高压芯片的沟槽造型机理 | 第20-21页 |
| ·硅湿法腐蚀机理 | 第21-25页 |
| ·光刻胶保护机理及在腐蚀过程中的应用 | 第25-31页 |
| ·超声波清洗腐蚀机理 | 第31-32页 |
| ·高温氧化机理 | 第32-34页 |
| ·沟槽参数测试分析手段 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 沟槽造型导致的失效机理分析 | 第38-53页 |
| ·封装测试数据及可靠性现状 | 第38-47页 |
| ·玻璃钝化保护芯片测试及不良品解剖分析 | 第38-41页 |
| ·封装后存放不良品数据及解剖分析 | 第41-47页 |
| ·沟槽深度不同导致的各参数比较 | 第47-49页 |
| ·鸟嘴不良造型导致的产品失效原因分析 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 改进及验证实验 | 第53-63页 |
| ·腐蚀工艺参数研究 | 第53-61页 |
| ·腐蚀液配方研究 | 第53-55页 |
| ·腐蚀液温度研究 | 第55-56页 |
| ·腐蚀液搅拌研究 | 第56-60页 |
| ·硅片放置位置对沟槽腐蚀影响研究 | 第60-61页 |
| ·光刻参数研究 | 第61-62页 |
| ·腐蚀前氧化参数研究 | 第62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| ·取得的主要研究成果 | 第63-64页 |
| ·展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
