大功率静电感应器件的研制
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-10页 |
| 第二章 静电感应器件基本理论分析 | 第10-22页 |
| ·静电感应器件的结构 | 第10-13页 |
| ·SIT作用的基本理论 | 第13-17页 |
| ·SIT的结构和作用机制分析 | 第13-16页 |
| ·SIT的I-V特性 | 第16-17页 |
| ·SITH作用的基本理论 | 第17-22页 |
| ·SITH的结构和作用机制分析 | 第17-19页 |
| ·SITH的I-V特性 | 第19-22页 |
| 第三章 静电感应器件的设计 | 第22-45页 |
| ·结构设计 | 第22-29页 |
| ·材料选取 | 第22-24页 |
| ·结构参数 | 第24-29页 |
| ·版图设计 | 第29-38页 |
| ·浓硼版 | 第30-31页 |
| ·淡硼栅版 | 第31-32页 |
| ·染磷版 | 第32-33页 |
| ·外延版 | 第33页 |
| ·槽版 | 第33-35页 |
| ·栅区补硼版 | 第35页 |
| ·源区扩磷版 | 第35-36页 |
| ·引线孔版 | 第36页 |
| ·反刻版 | 第36-38页 |
| ·工艺流程设计 | 第38-40页 |
| ·工艺顺序 | 第38页 |
| ·工艺时间 | 第38-39页 |
| ·简要工艺流程 | 第39-40页 |
| ·肖特基结槽栅型SIT设计 | 第40-45页 |
| ·器件的作用机制 | 第40-41页 |
| ·器件的结构参数 | 第41-43页 |
| ·器件的制造工艺 | 第43-45页 |
| 第四章 制造工艺与关键技术的研究 | 第45-63页 |
| ·外延工艺 | 第45-51页 |
| ·外延的工艺过程 | 第45-46页 |
| ·外延中的问题 | 第46-48页 |
| ·减小自掺杂效应的方法 | 第48-51页 |
| ·台面刻蚀与挖槽工艺 | 第51-54页 |
| ·湿法刻蚀 | 第51-52页 |
| ·刻蚀中的掩蔽技术 | 第52-53页 |
| ·台面刻蚀和槽刻蚀的必要性 | 第53-54页 |
| ·掺氯氧化 | 第54-55页 |
| ·如何制做良好的栅体 | 第55-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 研究生期间的主要成果 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
