SiC半导体表面处理技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| ·论文的研究背景及意义 | 第8-9页 |
| ·国内外发展现状及趋势 | 第9-12页 |
| ·本课题要解决的问题 | 第12-13页 |
| ·研究内容及章节安排 | 第13-14页 |
| 2 ECR-PEMOCVD系统 | 第14-29页 |
| ·ECR等离子技术 | 第14页 |
| ·耦合多极ECR等离子体产生的原理及特点 | 第14-23页 |
| ·ECR等离子体产生的原理 | 第14-15页 |
| ·耦合多极ECR等离子体特点 | 第15-23页 |
| ·RHEED原位检测系统 | 第23-28页 |
| ·电子衍射的原理 | 第23-24页 |
| ·RHEED的应用 | 第24-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 3 氢等离子体处理反应机理及影响参数 | 第29-34页 |
| ·氢等离子处理反应机理 | 第29页 |
| ·等离子体处理的影响因素 | 第29-33页 |
| ·流量和功率 | 第29-32页 |
| ·温度和时间 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 4 表面形貌的工艺控制 | 第34-46页 |
| ·处理时间的影响 | 第34-38页 |
| ·RHEED数据采集 | 第34-35页 |
| ·RHEED图像分析 | 第35-37页 |
| ·实验结果讨论 | 第37-38页 |
| ·处理温度的影响 | 第38-46页 |
| ·样品制备及RHEED数据采集 | 第38-44页 |
| ·RHEED图像分析 | 第44-45页 |
| ·实验结果与讨论 | 第45-46页 |
| 5 SiC低温氢等离子体处理效果 | 第46-59页 |
| ·等离子体对表面污染物的消除效果 | 第46-51页 |
| ·等离子体与表面结构 | 第51-53页 |
| ·等离子体处理对表面抗氧化性的影响 | 第53-55页 |
| ·等离子体处理与SiC MOS、欧姆接触 | 第55-57页 |
| ·影响SiC MOS、欧姆接触性能的因素 | 第55-56页 |
| ·等离子体对SiC MOS性能的影响 | 第56页 |
| ·等离子体对SiC欧姆接触的影响 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻读硕士学位期问发表学术论文情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
