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基于IBIS的数字集成电路行为级建模方法研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
符号对照表第12-13页
缩略语对照表第13-16页
第一章 绪论第16-20页
    1.1 课题研究背景第16-17页
    1.2 课题研究现状第17-18页
    1.3 课题研究内容第18-19页
    1.4 论文组织结构第19-20页
第二章 FuncIBS建模背景及相关知识第20-30页
    2.1 FuncIBS建模方法背景简介第20-23页
    2.2 IBIS模型简介第23-26页
    2.3 VHDL-AMS简介第26-28页
    2.4 本章小结第28-30页
第三章 FuncIBS行为级建模方法第30-44页
    3.1 IBIS宏模型第30-32页
    3.2 输入缓冲区VHDL-AMS实现第32-34页
    3.3 输出缓冲区VHDL-AMS实现第34-40页
    3.4 构建数字集成电路的FuncIBS模型第40-43页
    3.5 本章小结第43-44页
第四章 FuncIBS模型的置信度评估第44-58页
    4.1 常用置信度评估方法第44-46页
    4.2 基于相似度和匹配度的双指标误差分析法第46-50页
    4.3 FuncIBS模型置信度分析第50-55页
    4.4 FuncIBS模型在系统级建模中的可行性第55-57页
    4.5 本章小结第57-58页
第五章 FuncIBS总剂量效应建模方法第58-72页
    5.1 总剂量辐照效应第58-59页
    5.2 I/O缓冲区总剂量效应分析第59-65页
        5.2.1 辐照对GNDClamp和POWERClamp特性的影响第60-62页
        5.2.2 辐照对Pullup和Pulldown特性的影响第62-63页
        5.2.3 辐照对RAMP(Rising&FallingWaveform)特性的影响第63-65页
    5.3 FuncIBS总剂量效应辐照模型构建第65-68页
        5.3.1 IBIS上拉下拉数据的提取第66页
        5.3.2 IBIS箝位数据的提取第66-67页
        5.3.3 IBIS波形转换数据的提取第67-68页
    5.4 FuncIBS总剂量效应建模方法可行性分析第68-71页
    5.5 本章小结第71-72页
第六章 总结和展望第72-74页
    6.1 论文总结第72-73页
    6.2 工作展望第73-74页
参考文献第74-78页
致谢第78-80页
作者简介第80-81页

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