| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-20页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第16-17页 |
| 1.2 课题研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3 课题研究内容 | 第18-19页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第19-20页 |
| 第二章 FuncIBS建模背景及相关知识 | 第20-30页 |
| 2.1 FuncIBS建模方法背景简介 | 第20-23页 |
| 2.2 IBIS模型简介 | 第23-26页 |
| 2.3 VHDL-AMS简介 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 FuncIBS行为级建模方法 | 第30-44页 |
| 3.1 IBIS宏模型 | 第30-32页 |
| 3.2 输入缓冲区VHDL-AMS实现 | 第32-34页 |
| 3.3 输出缓冲区VHDL-AMS实现 | 第34-40页 |
| 3.4 构建数字集成电路的FuncIBS模型 | 第40-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 FuncIBS模型的置信度评估 | 第44-58页 |
| 4.1 常用置信度评估方法 | 第44-46页 |
| 4.2 基于相似度和匹配度的双指标误差分析法 | 第46-50页 |
| 4.3 FuncIBS模型置信度分析 | 第50-55页 |
| 4.4 FuncIBS模型在系统级建模中的可行性 | 第55-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 FuncIBS总剂量效应建模方法 | 第58-72页 |
| 5.1 总剂量辐照效应 | 第58-59页 |
| 5.2 I/O缓冲区总剂量效应分析 | 第59-65页 |
| 5.2.1 辐照对GNDClamp和POWERClamp特性的影响 | 第60-62页 |
| 5.2.2 辐照对Pullup和Pulldown特性的影响 | 第62-63页 |
| 5.2.3 辐照对RAMP(Rising&FallingWaveform)特性的影响 | 第63-65页 |
| 5.3 FuncIBS总剂量效应辐照模型构建 | 第65-68页 |
| 5.3.1 IBIS上拉下拉数据的提取 | 第66页 |
| 5.3.2 IBIS箝位数据的提取 | 第66-67页 |
| 5.3.3 IBIS波形转换数据的提取 | 第67-68页 |
| 5.4 FuncIBS总剂量效应建模方法可行性分析 | 第68-71页 |
| 5.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 总结和展望 | 第72-74页 |
| 6.1 论文总结 | 第72-73页 |
| 6.2 工作展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 作者简介 | 第80-81页 |
