| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 缩略词表 | 第8-12页 |
| 1 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 集成电路静电防护的研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 集成电路静电防护方法概述 | 第13-15页 |
| 1.3 传输线脉冲TLP基本介绍 | 第15-16页 |
| 1.4 器件建模工具TCAD软件介绍及其仿真必要性 | 第16-19页 |
| 1.5 ESD国内外研究现状 | 第19-20页 |
| 1.6 本论文主要工作介绍 | 第20-22页 |
| 2 ESD防护低电压器件介绍 | 第22-31页 |
| 2.1 二极管的结构与工作原理 | 第22-24页 |
| 2.2 GGNMOS的结构和工作原理 | 第24-28页 |
| 2.3 晶闸管(SCR)的结构和工作原理 | 第28-30页 |
| 2.4 本章总结 | 第30-31页 |
| 3 基于软件Sentaurus-TCAD的模拟仿真流程分析 | 第31-53页 |
| 3.1 器件结构建模基本介绍 | 第31-33页 |
| 3.2 仿真数学物理模型选择 | 第33-49页 |
| 3.2.1 载流子传输模型 | 第34-36页 |
| 3.2.2 能带模型 | 第36-38页 |
| 3.2.3 载流子迁移率模型 | 第38-44页 |
| 3.2.4 雪崩电离模型 | 第44-47页 |
| 3.2.5 载流子产生-复合模型 | 第47-49页 |
| 3.3 模拟仿真器件电学特性的步骤分析 | 第49-52页 |
| 3.4 本章总结 | 第52-53页 |
| 4 ESD防护低压器件仿真方法研究 | 第53-68页 |
| 4.1 模型选择和初始参数设置对仿真误差的影响 | 第53-56页 |
| 4.1.1 数学物理模型选择对器件关键性能的影响 | 第53-54页 |
| 4.1.2 影响ESD器件仿真收敛性问题研究 | 第54-55页 |
| 4.1.3 ESD防护器件的热边界条件 | 第55-56页 |
| 4.2 模拟瞬态单脉冲波形并仿真静电防护低压器件电学特性 | 第56-61页 |
| 4.2.1 模拟瞬态单脉冲波形仿真的原理 | 第56-57页 |
| 4.2.2 模拟瞬态单脉冲波形并仿真低压器件静电防护能力 | 第57-61页 |
| 4.3 模拟单脉冲瞬态TLP波形并仿真静电防护低压器件电学特性 | 第61-63页 |
| 4.4 模拟多脉冲瞬态TLP波形并仿真静电防护低压器件电学特性 | 第63-66页 |
| 4.4.1 目前仿真方法的局限性 | 第63页 |
| 4.4.2 TLP多脉冲瞬态波形仿真方法研究 | 第63-66页 |
| 4.5 本章总结 | 第66-68页 |
| 5 模拟仿真分析低压器件二极管串的达林顿效应 | 第68-75页 |
| 5.1 二极管串寄生达林顿效应的影响 | 第68-69页 |
| 5.2 一种消除达林顿效应的肖特基二极管串结构 | 第69-72页 |
| 5.2.1 肖特基二极管与普通二极管电学特性对比 | 第69-71页 |
| 5.2.2 肖特基二极管串与普通二极管串电学特性对比 | 第71-72页 |
| 5.3 模拟多脉冲瞬态TLP波形分析肖特基二极管串电学特性 | 第72-74页 |
| 5.4 本章总结 | 第74-75页 |
| 6 总结与展望 | 第75-77页 |
| 6.1 总结 | 第75-76页 |
| 6.2 展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 个人简历 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
