| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-13页 |
| 1.2 国内外研究现状分析 | 第13-17页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第13-15页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3 选题意义与研究内容 | 第17-19页 |
| 1.3.1 论文选题及意义 | 第17页 |
| 1.3.2 主要内容与结构 | 第17-19页 |
| 第二章 常规六管FinFETSRAM单元设计及优化讨论 | 第19-35页 |
| 2.1 六管SRAM单元简介 | 第19-23页 |
| 2.2 常规六管FinFETSRAM单元存在问题分析 | 第23-24页 |
| 2.3 独立双栅FinFET器件及其SRAM应用 | 第24-30页 |
| 2.3.1 独立双栅FinFET器件 | 第24-26页 |
| 2.3.2 采用两条字线的独立双栅FinFETSRAM设计 | 第26-28页 |
| 2.3.3 采用反馈的独立双栅FinFETSRAM设计 | 第28-30页 |
| 2.4 具备非对称漏极拓展区结构的六管FinFETSRAM单元 | 第30-32页 |
| 2.5 具备三种模式的独立栅极FinFET及其SRAM单元 | 第32-34页 |
| 2.6 本章小节 | 第34-35页 |
| 第三章 新型独立三栅FinFET器件的设计与分析 | 第35-56页 |
| 3.1 新型独立三栅FinFET器件的结构与工艺 | 第35-42页 |
| 3.1.1 新型独立三栅FinFET器件结构设想 | 第35-37页 |
| 3.1.2 常规FinFET器件的工艺制备流程 | 第37-40页 |
| 3.1.3 Single-fin独立三栅FinFET器件的工艺制备流程 | 第40-41页 |
| 3.1.4 Double-fin独立三栅FinFET器件的工艺制备流程 | 第41-42页 |
| 3.2 新型独立三栅FinFET器件的TCAD仿真 | 第42-44页 |
| 3.2.1 TCAD仿真技术简介 | 第42-43页 |
| 3.2.2 新器件的结构定义 | 第43-44页 |
| 3.3 直流特性分析 | 第44-51页 |
| 3.3.1 Single-fin结构器件的直流特性分析 | 第44-49页 |
| 3.3.2 Double-fin结构器件的直流特性分析 | 第49-51页 |
| 3.4 交流特性分析 | 第51-55页 |
| 3.4.1 Single-fin结构器件的交流特性分析 | 第52-54页 |
| 3.4.2 Double-fin结构器件的交流特性分析 | 第54-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 基于新型独立三栅FinFET器件的SRAM设计 | 第56-81页 |
| 4.1 采用两条字线的独立三栅FinFETSRAM设计 | 第56-70页 |
| 4.1.1 采用两条字线的独立三栅FinFETSRAM(SRAM-TIG1) | 第56-59页 |
| 4.1.2 SRAM-TIG1的仿真结果验证 | 第59-70页 |
| 4.2 采用反馈的独立三栅FinFETSRAM设计 | 第70-80页 |
| 4.2.1 采用反馈的独立三栅FinFETSRAM(SRAM-TIG2) | 第70-74页 |
| 4.2.2 SRAM-TIG2的仿真结果验证 | 第74-80页 |
| 4.3 本章小结 | 第80-81页 |
| 第五章 总结与展望 | 第81-83页 |
| 5.1 总结 | 第81-82页 |
| 5.2 展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 硕士在读期间科研成果 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88页 |
