| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 纳米工艺代器件可靠性研究的背景及意义 | 第11-13页 |
| 1.2 器件可靠性模型研究现状分析 | 第13-16页 |
| 1.3 本文选题与研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 NBTI效应的物理机制研究 | 第18-26页 |
| 2.1 造成NBTI退化的缺陷分析 | 第18-21页 |
| 2.2 双界面RD模型 | 第21-24页 |
| 2.3 空穴捕获的物理机制和解析模型 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 DC应力下NBTI的长时恢复模型研究 | 第26-36页 |
| 3.1 描述NBTI恢复的传统解析模型分析 | 第26-29页 |
| 3.2 传统解析模型的修正与改进 | 第29-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 40nmMOS器件的NBTI性质分析及特性参量提取 | 第36-48页 |
| 4.1 器件阈值电压退化测试 | 第36-37页 |
| 4.2 40 nmPMOS器件NBTI退化性质 | 第37-41页 |
| 4.3 40 nmPMOS器件的NBTI特性参量提取 | 第41-44页 |
| 4.4 基于新型解析模型的NBTI恢复研究 | 第44-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 低频AC下NBTI的模型研究 | 第48-63页 |
| 5.1 基于RD模型的特征比值推算 | 第48-52页 |
| 5.2 提出ACNBTI应力下的复合解析模型 | 第52-55页 |
| 5.3 基于解析模型的动态NBTI研究 | 第55-62页 |
| 5.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 总结 | 第63-64页 |
| 6.2 展望 | 第64-65页 |
| 附录缩略词描述 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-75页 |
| 硕士在读期间科研成果 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |