| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第15-45页 |
| 1.1 过渡金属氧化物 | 第15-21页 |
| 1.1.1 3d过渡金属氧化物 | 第16-18页 |
| 1.1.2 4d过渡金属氧化物 | 第18-19页 |
| 1.1.3 5d过渡金属氧化物 | 第19-21页 |
| 1.2 Ruddlesden-Popper结构5d过渡金属氧化物Sr_(n+1)Ir_nO_(3n+1)概述 | 第21-34页 |
| 1.2.1 Ruddlesden-Popper结构简介 | 第21-23页 |
| 1.2.2 Sr_(n+1)Ir_nO_(3n+1)的物性 | 第23-28页 |
| 1.2.3 Sr_(n+1)Ir_nO_(3n+1)的研究进展 | 第28-34页 |
| 1.3 离子液体双电层晶体管器件 | 第34-43页 |
| 1.3.1 离子液体简介 | 第34-36页 |
| 1.3.2 双电层晶体管结构与原理 | 第36-40页 |
| 1.3.3 离子液体双电层晶体管的研究现状 | 第40-43页 |
| 1.4 本论文研究内容 | 第43-45页 |
| 第二章 实验设备与表征手段 | 第45-61页 |
| 2.1 薄膜制备技术 | 第45-48页 |
| 2.1.1 PLD技术的原理及优势 | 第45-48页 |
| 2.1.2 本研究所采用的PLD设备 | 第48页 |
| 2.2 薄膜表征手段 | 第48-56页 |
| 2.2.1 原子力显微镜(AFM) | 第49-52页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜(TEM) | 第52-54页 |
| 2.2.3 X射线衍射(XRD) | 第54-56页 |
| 2.3 器件微加工平台 | 第56-57页 |
| 2.4 电学测试平台 | 第57-59页 |
| 2.4.1 综合物性测试系统(PPMS) | 第57-59页 |
| 2.4.2 低温探针台 | 第59页 |
| 2.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第三章 铱酸锶薄膜的制备与选择性生长 | 第61-73页 |
| 3.1 Sr_2IrO_4单晶薄膜的制备 | 第61-62页 |
| 3.2 RP结构铱酸锶(Sr_(n+1)Ir_nO_(3n+1))薄膜的选择性生长 | 第62-71页 |
| 3.2.1 RP结构铱酸锶(Sr_(n+1)Ir_nO_(3n+1))薄膜的表征 | 第63-68页 |
| 3.2.2 薄膜选择性生长的机理探讨 | 第68-70页 |
| 3.2.3 激光能量对薄膜选择性生长的影响 | 第70-71页 |
| 3.3 本章小结 | 第71-73页 |
| 第四章 Sr_2IrO_4双电层晶体管的制备与电场调控 | 第73-85页 |
| 4.1 Sr_2IrO_4双电层晶体管的制备 | 第73-75页 |
| 4.2 Sr_2IrO_4双电层晶体管的电学输运特性测试 | 第75-81页 |
| 4.2.1 Sr_2IrO_4双电层晶体管的转移特性与输出特性 | 第76-79页 |
| 4.2.2 真空度Sr_2IrO_4双电层晶体管电学输运特性的影响 | 第79-81页 |
| 4.3 离子液体对Sr_2IrO_4薄膜输运特性电场调控的机制 | 第81-84页 |
| 4.4 本章小结 | 第84-85页 |
| 第五章 Sr_2IrO_4双电层晶体管的神经突触仿生 | 第85-95页 |
| 5.1 引言 | 第85-88页 |
| 5.2 神经突触特性模拟 | 第88-94页 |
| 5.2.1 兴奋性/抑制性后膜电位(EPSP/IPSP) | 第88-90页 |
| 5.2.2 双脉冲易化(PPF) | 第90-91页 |
| 5.2.3 脉冲参数对人工突触特性的影响 | 第91-93页 |
| 5.2.4 连续脉冲作用下的“增强”与“抑制” | 第93-94页 |
| 5.3 本章小结 | 第94-95页 |
| 第六章 总结与展望 | 第95-97页 |
| 6.1 本文总结 | 第95-96页 |
| 6.2 未来展望 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-107页 |
| 攻读学位期间发表学术论文 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109页 |
