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高速板级电路及硅通孔三维封装集成的电磁特性研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第15-25页
    1.1 课题背景及研究的目的和意义第15-18页
    1.2 课题国内外研究现状第18-23页
        1.2.1 国外研究现状第18-21页
        1.2.2 国内研究现状第21-23页
    1.3 存在的关键问题和挑战第23页
    1.4 本文的主要研究内容第23-25页
第2章 旁路结构寄生电感全波等效计算及去嵌入阻抗测试方法研究第25-43页
    2.1 引言第25-26页
    2.2 旁路结构寄生电感全波等效计算第26-31页
        2.2.1 采用散射系数描述平面间的电场和磁场分量第26-27页
        2.2.2 激励源定义和散射系数方程第27-29页
        2.2.3 寄生电感的全波计算第29-30页
        2.2.4 计算结果验证第30-31页
    2.3 高速元器件模型参数的去嵌入提取第31-39页
        2.3.1 去嵌入方法第31-33页
        2.3.2 基于宽频测量的脉冲电阻和解耦电容的阻抗特性提取第33-37页
        2.3.3 微波HEMT器件小信号模型提取第37-39页
    2.4 旁路结构等效电路的实验验证第39-42页
    2.5 本章小结第42-43页
第3章 PCB电源平面分布式解耦及采用等效电路方法设计EBG结构第43-62页
    3.1 引言第43-45页
    3.2 PCB基底材料介电特性参数提取第45-49页
        3.2.1 复介电常数因子提取方法第46-47页
        3.2.2 介电常数数因子提取实例第47-49页
    3.3 PCB电源平面的分布式解耦第49-55页
        3.3.1 电源平面分布模型第50-51页
        3.3.2 供电平面阻抗设计第51-55页
    3.4 等效电路法建模分析电源平面EBG结构第55-60页
        3.4.1 平面EBG的等效电路第56-57页
        3.4.2 设计方法的验证和讨论第57-60页
    3.5 本章小结第60-62页
第4章 考虑半导体效应的硅通孔互连等效电路建模第62-88页
    4.1 引言第62-63页
    4.2 泊松方程下耗尽宽度和MOS电容计算第63-67页
        4.2.1 耗尽宽度-偏置电压方程第64-66页
        4.2.2 最大耗尽宽度和阈值电压第66页
        4.2.3 采用Lambert W函数描述耗尽宽度解第66-67页
    4.3 考虑电荷精确分布的MOS电容计算第67-72页
        4.3.1 耗尽层电荷分布第67-70页
        4.3.2 耗尽电容计算第70-72页
    4.4 电源-地TSV的小信号模型第72-76页
        4.4.1 电源-地TSV的集总模型第72-75页
        4.4.2 硅基接地的影响第75-76页
    4.5 电源-地TSV阵列的阻抗特性及容性耦合分析第76-82页
        4.5.1 多导体传输线模型第76-79页
        4.5.2 TSV阵列的容性耦合分析第79-82页
    4.6 考虑电荷分布后的TSV等效电路模型第82-87页
        4.6.1 RLGC模型参数计算方法第82-84页
        4.6.2 单个TSV的等效电路模型第84-86页
        4.6.3 信号-地TSV的等效电路模型第86-87页
    4.7 本章小结第87-88页
第5章 瞬态抑制器件半导体模型参数估算及在静电脉冲防护中的应用研究第88-99页
    5.1 引言第88-89页
    5.2 器件模型参数估算第89-93页
        5.2.1 物理结构及工作原理第89-90页
        5.2.2 内建电势和击穿电压第90-91页
        5.2.3 结电容和体电阻第91页
        5.2.4 寄生参数计算及试验提取第91-93页
    5.3 估算模型在静电放电抑制中的有效性验证第93-95页
        5.3.1 静电波形测试第93-94页
        5.3.2 仿真与测试验证第94-95页
        5.3.3 讨论第95页
    5.4 估算模型在设备端口瞬态电磁脉冲防护中的应用第95-98页
        5.4.1 设备端口的电路模型第95-96页
        5.4.2 静电抗扰度预测第96-97页
        5.4.3 浪涌抗扰度预测第97-98页
    5.5 本章小结第98-99页
第6章 结论与展望第99-101页
    6.1 结论第99-100页
    6.2 展望第100-101页
参考文献第101-115页
攻读博士学位期间发表的学术论文第115-116页
攻读博士学位期间参加的科研工作第116-117页
致谢第117-118页
作者简介第118页

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