| 第一章 前言 | 第8-34页 |
| 1.1 ZnO 材料研究进展 | 第8-17页 |
| 1.2 ZnO 材料的基本特性 | 第17-20页 |
| 1.3 ZnO 薄膜的用途 | 第20-23页 |
| 1.4 ZnO 薄膜的生长方法 | 第23-26页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第26-28页 |
| 本章参考文献 | 第28-34页 |
| 第二章 ZNO 薄膜生长设备及样品的表征方法 | 第34-51页 |
| 2.1 生长ZnO 薄膜的MOCVD 反应系统 | 第34-39页 |
| 2.1.1 ZnO 薄膜MOCVD 生长用源材料 | 第34-37页 |
| 2.1.2 用于ZnO 生长的等离子增强MOCVD 反应系统 | 第37-39页 |
| 2.2 生长ZnO 薄膜的射频溅射反应系统 | 第39-42页 |
| 2.2.1 溅射法简介 | 第39-40页 |
| 2.2.2 用于ZnO 生长的射频溅射反应系统 | 第40-42页 |
| 2.3 样品的表征方法 | 第42-50页 |
| 2.3.1 X 射线衍射方法(XRD) | 第42-43页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第43-44页 |
| 2.3.3 原子力显微镜(AFM) | 第44-45页 |
| 2.3.4 X 射线光电子能谱(XPS) | 第45-46页 |
| 2.3.5 发光光谱 | 第46-47页 |
| 2.3.6 电学特性测量方法 | 第47-50页 |
| 本章参考文献 | 第50-51页 |
| 第三章 蓝宝石衬底上ZNO 薄膜的生长和特性研究 | 第51-83页 |
| 3.1 C-sapphire 衬底上ZnO 薄膜的生长 | 第51-60页 |
| 3.1.1 样品的制备 | 第51-52页 |
| 3.1.2 生长温度对薄膜质量的影响 | 第52-60页 |
| 3.1.2.1 对结构特性的影响 | 第53-54页 |
| 3.1.2.2 对表面形貌的影响 | 第54-57页 |
| 3.1.2.3 对光学特性的影响 | 第57-60页 |
| 3.2 缓冲层的生长对ZnO 薄膜质量的影响 | 第60-71页 |
| 3.2.1 缓冲层的生长 | 第60-61页 |
| 3.2.2 不同温度缓冲层的生长对薄膜质量的影响 | 第61-64页 |
| 3.2.3 不同厚度缓冲层的生长对薄膜质量的影响 | 第64-71页 |
| 3.2.3.1 对结构特性的影响 | 第64-66页 |
| 3.2.3.2 对表面形貌的影响 | 第66-70页 |
| 3.2.3.3 对光学特性的影响 | 第70-71页 |
| 3.3 C -sapphire 和R-sapphire 衬底上生长ZnO 薄膜的特性比较 | 第71-78页 |
| 3.3.1 结构特性的比较 | 第72-74页 |
| 3.3.2 表面形貌的比较 | 第74-76页 |
| 3.3.3 光学特性的比较 | 第76-78页 |
| 3.4 本章小结 | 第78-80页 |
| 本章参考文献 | 第80-83页 |
| 第四章 SI 衬底上ZNO 薄膜生长和特性研究 | 第83-112页 |
| 4.1 (001)n-Si 衬底上ZnO 薄膜生长和特性分析 | 第83-95页 |
| 4.1.1 样品的制备 | 第83-84页 |
| 4.1.2 (001)n-Si 衬底上ZnO 薄膜特性研究 | 第84-95页 |
| 4.1.2.1 结构特性 | 第84-86页 |
| 4.1.2.2 溅射率 | 第86-88页 |
| 4.1.2.3 表面形貌 | 第88-89页 |
| 4.1.2.4 室温PL 谱 | 第89-90页 |
| 4.1.2.5 光电子能谱分析 | 第90-95页 |
| 4.2 (100)p-Si 衬底上ZnO 薄膜生长和特性分析 | 第95-100页 |
| 4.2.1 样品的制备 | 第95页 |
| 4.2.2 不同温度下生长的薄膜特性的分析 | 第95-100页 |
| 4.2.2.1 结构特性 | 第96-97页 |
| 4.2.2.2 表面形貌 | 第97-98页 |
| 4.2.2.3 室温PL 谱 | 第98-100页 |
| 4.2.2.4 光电子能谱分析 | 第100页 |
| 4.3 N-ZnO/p-Si 光电二极管 | 第100-108页 |
| 4.3.1 电极的制备 | 第101-102页 |
| 4.3.2 N-ZnO/p-Si 异质结的I-V 特性 | 第102-104页 |
| 4.3.3 光电特性 | 第104-108页 |
| 4.4 本章小结 | 第108-110页 |
| 本章参考文献 | 第110-112页 |
| 第五章 P-ZNO 的制备及MGZNO 合金薄膜的生长和特性研究 | 第112-126页 |
| 5.1 P-ZnO 的制备 | 第112-117页 |
| 5.1.1 ZnO 薄膜中的本征点缺陷 | 第112-113页 |
| 5.1.2 当前制备p-ZnO 薄膜的几种主要方法 | 第113-114页 |
| 5.1.3 p-ZnO 薄膜的制备 | 第114-117页 |
| 5.2 蓝宝石衬底上MgZnO 合金薄膜的生长和特性研究 | 第117-123页 |
| 5.2.1 样品的制备 | 第118-119页 |
| 5.2.2 MgZnO 合金薄膜结构特性 | 第119-120页 |
| 5.2.3 MgZnO 合金薄膜光学特性 | 第120-121页 |
| 5.2.4 MgZnO 合金薄膜的能带宽度 | 第121-123页 |
| 5.3 本章小结 | 第123-124页 |
| 本章参考文献 | 第124-126页 |
| 结论 | 第126-129页 |
| 致谢 | 第129-131页 |
| 博士学位期间发表的论文 | 第131-138页 |
| 博士学位期间获奖情况 | 第138-140页 |
| 摘要 | 第140-144页 |
| ABSTRACT | 第144页 |
