| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-32页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·光刻技术简介 | 第8-20页 |
| ·光刻技术的发展趋势 | 第8-11页 |
| ·光刻技术的性能比较 | 第11-12页 |
| ·未来光刻技术 | 第12-13页 |
| ·光刻机的更新及发展趋势 | 第13-20页 |
| ·接近式光刻简述 | 第20-28页 |
| ·接近式光刻机组成 | 第20-22页 |
| ·接近式光刻工艺介绍 | 第22-26页 |
| ·光刻胶的类别及适用范围 | 第26-28页 |
| ·传统光刻机曝光原理及方式 | 第28-32页 |
| ·曝光光源结构 | 第28-29页 |
| ·传统光刻机曝光方式 | 第29-32页 |
| 第二章 接触式曝光过程中工艺稳定控制 | 第32-37页 |
| ·双极型芯片工艺 | 第32-34页 |
| ·CANON 光刻机曝光工艺参数 | 第34页 |
| ·线宽参数优化理论 | 第34-37页 |
| ·基础参数介绍 | 第34-35页 |
| ·时间参数取样 | 第35页 |
| ·工艺参数优化 | 第35-37页 |
| 第三章 特征尺寸控制 | 第37-59页 |
| ·CANON 光刻机接触式曝光调试 | 第37-39页 |
| ·匀胶质量分析 | 第38页 |
| ·显影质量分析 | 第38-39页 |
| ·CANON 光刻机接近式曝光线宽调试实验 | 第39-59页 |
| ·稳定光强下的参数调整 | 第43-44页 |
| ·稳定能量下的参数调整 | 第44-46页 |
| ·不同光强、能量条件下曝光效果分析 | 第46-49页 |
| ·不同光强条件下的大样本量实验 | 第49-54页 |
| ·不同对位间隙设定的影响 | 第54-59页 |
| 第四章 线宽和套刻系统性控制的实现 | 第59-72页 |
| ·KLA CDSEM 简介 | 第59-62页 |
| ·制造执行系统 | 第62-63页 |
| ·先进过程控制 | 第63-65页 |
| ·常用的先进过程控制技术 | 第64页 |
| ·半导体制造中的先进过程控制 | 第64-65页 |
| ·APC FOR PHOTO 简介 | 第65-67页 |
| ·PE KeyIn | 第65-66页 |
| ·PE Function | 第66页 |
| ·Report | 第66-67页 |
| ·如何使用APC FOR PHOTO 实现对线宽的系统性控制 | 第67-70页 |
| ·控制目标 | 第67页 |
| ·控制架构 | 第67-68页 |
| ·运算法则 | 第68-69页 |
| ·APC for Photo 的运行流程 | 第69页 |
| ·APC 应用举例 | 第69-70页 |
| ·如何使用APC FOR PHOTO 实现对套刻的系统性控制 | 第70-72页 |
| ·控制目标 | 第70页 |
| ·控制架构 | 第70-71页 |
| ·实例说明 | 第71-72页 |
| 第五章 结论 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |