高g值抗冲击加速度敏感芯片设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 MEMS加速度传感器芯片发展现状 | 第9-14页 |
| 1.2.1 国外研究发展现状 | 第9-11页 |
| 1.2.2 国内研究发展现状 | 第11-14页 |
| 1.3 研究的目的及意义 | 第14页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第14-15页 |
| 1.5 本章小结 | 第15-16页 |
| 第2章 加速度敏感芯片工作原理 | 第16-23页 |
| 2.1 一般MEMS加速度传感器芯片工作原理 | 第16-20页 |
| 2.1.1 压阻式加速度传感器芯片原理介绍 | 第16-19页 |
| 2.1.2 电容式加速度传感器芯片原理介绍 | 第19页 |
| 2.1.3 压电式加速度传感器芯片原理介绍 | 第19-20页 |
| 2.2 高g值压阻式加速度芯片敏感结构原理 | 第20-21页 |
| 2.3 单晶硅薄膜电阻 | 第21-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 芯片敏感结构初步设计 | 第23-37页 |
| 3.1 质量块厚度仿真设计 | 第23-28页 |
| 3.2 微梁厚度仿真设计 | 第28-34页 |
| 3.3 芯片交叉耦合问题 | 第34-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 芯片敏感结构深入优化 | 第37-50页 |
| 4.1 芯片交叉耦合问题的初步优化 | 第37-39页 |
| 4.2“凹槽法”解决方案论述 | 第39-45页 |
| 4.3 讨论 | 第45-48页 |
| 4.3.1 满量程输出 | 第45-46页 |
| 4.3.2 过载分析 | 第46-48页 |
| 4.3.3 敏感结构固有频率 | 第48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第5章 加速度敏感芯片工艺过程研究 | 第50-61页 |
| 5.1 SOI晶圆材料说明 | 第50-51页 |
| 5.2 芯片工艺过程及版图 | 第51-60页 |
| 5.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第6章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 在学研究成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
