硅微通道板化学机械抛光及氧化绝缘技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·硅微通道板发展概述 | 第7-10页 |
| ·硅微通道板简介 | 第7-9页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-10页 |
| ·硅微通道板制备工艺流程 | 第10-12页 |
| ·光刻诱导坑制备 | 第10-11页 |
| ·电化学制备硅微通道阵列 | 第11页 |
| ·微通道整形及化学机械抛光 | 第11-12页 |
| ·厚层氧化绝缘处理 | 第12页 |
| ·微通道结构化学机械抛光及氧化绝缘技术难点 | 第12页 |
| ·微通道结构化学机械抛光难点 | 第12页 |
| ·微通道结构氧化绝缘技术难点 | 第12页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第12-13页 |
| 第二章 硅微通道结构化学机械抛光实验研究 | 第13-27页 |
| ·硅微通道结构化学机械抛光机理分析 | 第13-19页 |
| ·微通道结构双面抛光原因 | 第13-14页 |
| ·微通道机构化学机械抛光原理 | 第14-15页 |
| ·主要影响因素 | 第15-17页 |
| ·微通道填充保护 | 第17页 |
| ·真空填蜡原理 | 第17-19页 |
| ·硅微通道结构化学机械抛光工艺实验 | 第19-23页 |
| ·实验设备简介 | 第19-21页 |
| ·硅微通道化学机械抛光实验流程 | 第21-22页 |
| ·去蜡清洗 | 第22-23页 |
| ·实验结果分析讨论 | 第23-27页 |
| ·去蜡清洗时间对盲孔率的影响 | 第23-24页 |
| ·抛光时间对微通道表层壁厚的影响 | 第24-25页 |
| ·材料去除速率分析 | 第25-27页 |
| 第三章 硅微通道板厚层氧化绝缘技术研究 | 第27-40页 |
| ·微通道结构SO_2薄膜制备方法简介 | 第27-30页 |
| ·硅与SiO_2的基本性质 | 第27-28页 |
| ·化学气相沉积法制备SiO_2薄膜 | 第28页 |
| ·原子层沉积法制备SiO_2薄膜 | 第28-29页 |
| ·热氧化法制备Si O_2薄膜 | 第29-30页 |
| ·SiO_2厚层氧化动力学分析 | 第30-33页 |
| ·热氧化制备SiO_2工艺实验 | 第33-36页 |
| ·实验设备简介 | 第33-34页 |
| ·热氧化实验流程 | 第34-35页 |
| ·硅片氧化层厚度测试方法 | 第35页 |
| ·硅微通道基体击穿电压测试系统 | 第35-36页 |
| ·实验结果分析讨论 | 第36-40页 |
| ·硅片氧化时间对Si O_2氧化层厚度的影响 | 第36-38页 |
| ·Si-MCP厚层氧化绝缘实验结果分析 | 第38-40页 |
| 第四章 硅微通道板高温整形实验研究 | 第40-50页 |
| ·晶体塑性形变机理分析 | 第40-44页 |
| ·滑移 | 第40-42页 |
| ·孪生 | 第42-43页 |
| ·扭折 | 第43页 |
| ·多晶体的塑性变形 | 第43-44页 |
| ·高温整形实验设计 | 第44-46页 |
| ·高温整形工艺实验 | 第46-47页 |
| ·实验设备介绍 | 第46页 |
| ·高温整形实验流程 | 第46-47页 |
| ·硅微通道板基体翘曲程度测量方法 | 第47页 |
| ·实验结果分析讨论 | 第47-50页 |
| 第五章 结论 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第54页 |
| 发表论文情况 | 第54页 |
| 参加科研项目说明 | 第54页 |
