| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第1章 引言 | 第13-29页 |
| ·GaN HEMT器件研究动态 | 第13-22页 |
| ·GaN材料优势 | 第13-15页 |
| ·GaN HEMT器件 | 第15-16页 |
| ·国内外GaN HEMT器件研究进展 | 第16-19页 |
| ·GaN HEMT器件存在的问题 | 第19-22页 |
| ·E类功率放大器的研究动态 | 第22-27页 |
| ·E类功率放大器的研究进展 | 第23-24页 |
| ·GaN HEMT器件在E类功率放大器中的应用 | 第24-25页 |
| ·GaN HEMT在E类功率放大器应用中存在的问题和研究方向 | 第25-27页 |
| ·本论文的研究意义和主要内容 | 第27-29页 |
| 第2章 GaN HEMT器件特性及模型研究 | 第29-53页 |
| ·GaN HEMT器件基本理论和物理效应 | 第29-34页 |
| ·GaN HEMT器件基本工作原理 | 第29-31页 |
| ·GaN HEMT器件物理效应 | 第31-34页 |
| ·GaN HEMT小信号参数模型及其参数提取 | 第34-42页 |
| ·GaN HEMT小信号参数模型 | 第34-37页 |
| ·寄生参数提取 | 第37-39页 |
| ·本征参数提取 | 第39-41页 |
| ·结果分析与对比 | 第41-42页 |
| ·GaN HEMT大信号等效电路模型及参数提取 | 第42-51页 |
| ·经典大信号非线性模型分析 | 第42-46页 |
| ·改进的大信号非线性模型的建立及参数提取 | 第46-49页 |
| ·结果分析及验证 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51-53页 |
| 第3章 GaN HEMT宽带平衡功率放大器 | 第53-74页 |
| ·宽带平衡功率放大器设计 | 第53-60页 |
| ·平衡功率放大器 | 第53-55页 |
| ·宽带匹配 | 第55-56页 |
| ·lange耦合器 | 第56-57页 |
| ·偏置电路 | 第57-58页 |
| ·电路热设计仿真 | 第58-60页 |
| ·电路测试及结果分析 | 第60-66页 |
| ·10W功率放大器测试 | 第60-63页 |
| ·30W功率放大器测试 | 第63-66页 |
| ·GaN HEMT器件的最优化匹配网络 | 第66-72页 |
| ·GaN HEMT器件的最优化匹配网络法 | 第67-69页 |
| ·GaN HEMT器件的最优化匹配网络实例 | 第69-72页 |
| ·小结 | 第72-74页 |
| 第4章 GaN HEMT E类功率放大器微带补偿电路 | 第74-97页 |
| ·E类功率放大器的基本原理 | 第74-77页 |
| ·有限扼流并联E类功率放大器 | 第77-81页 |
| ·管芯输出电容对E类放大器工作频率的限制 | 第77-79页 |
| ·输出电容的“电感补偿” | 第79页 |
| ·大管芯输出电容时的并联E类放大器 | 第79-81页 |
| ·多频点微带补偿电路 | 第81-88页 |
| ·2 次微带补偿电路 | 第83-84页 |
| ·3 次微带补偿电路 | 第84-85页 |
| ·晶体管漏极电感的影响 | 第85-88页 |
| ·仿真与实验验证 | 第88-95页 |
| ·理想状态的仿真验证 | 第88-90页 |
| ·实验验证 | 第90-95页 |
| ·小结 | 第95-97页 |
| 第5章 GaN HEMT有限扼流电感的逆E类功率放大器 | 第97-119页 |
| ·理想逆E类功率放大器的基本原理 | 第97-101页 |
| ·有限扼流电感的逆E类功率放大器理论分析 | 第101-106页 |
| ·有限扼流电感的逆E类功率放大器性能仿真结果 | 第106-109页 |
| ·有限扼流电感的逆E类功率放大器传输线结构 | 第109-110页 |
| ·功率放大器设计与低频实验验证 | 第110-114页 |
| ·微带传输线结构功放的实验验证 | 第114-118页 |
| ·小结 | 第118-119页 |
| 结论与展望 | 第119-122页 |
| 主要研究工作内容 | 第119-120页 |
| 创新点 | 第120页 |
| 继续工作内容 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-137页 |
| 附录 攻读博士学位期间的研究成果 | 第137-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
