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低电压氧化物基纸张双电层薄膜晶体管

摘要第1-7页
Abstract第7-11页
第1章 绪论第11-26页
   ·引言第11-13页
   ·薄膜晶体管的工作原理以及发展第13-18页
     ·薄膜晶体管的工作原理第13-15页
     ·纸张薄膜晶体管的发展第15-18页
   ·纸张薄膜晶体管的应用第18-22页
     ·电子纸第18-21页
     ·射频识别第21-22页
   ·本文选题依据、意义以及研究内容第22-26页
     ·本文选题的依据与意义第22-24页
     ·研究内容第24-26页
第2章 SiO_2与壳聚糖的制备与应用第26-36页
   ·引言第26-27页
   ·SiO_2固态电解质第27-33页
     ·SiO_2固态电解质的制备过程第27-28页
     ·Ca~(2+)引入SiO_2在TFT中的应用第28-33页
   ·壳聚糖固态电解质第33-35页
     ·壳聚糖固态电解质的制备过程第33页
     ·壳聚糖固态电解质在ΤFΤ中的应用第33-35页
   ·本章小结第35-36页
第3章 具有SiO_2钝化层的低电压纸张TFT第36-46页
   ·引言第36页
   ·实验部分第36-39页
     ·实验试剂以及设备第36-37页
     ·具有SiO_2钝化层纸张TFT的制备第37-39页
   ·实验结果与讨论第39-44页
     ·SiO_2钝化层的形貌以及平坦化效应第39-40页
     ·纸张钝化TFT的电学特性分析第40-44页
   ·本章小结第44-46页
第4章 壳聚糖栅介质在TFT中的应用第46-58页
   ·引言第46-47页
   ·纸张壳聚糖TFT的制备与性能分析第47-52页
     ·纸张壳聚糖TFT的制备第47-48页
     ·纸张壳聚糖TFT的性能分析第48-52页
   ·复合栅介质TFT的制备与性能分析第52-57页
     ·复合栅介质TFT的电学特性分析第52-55页
     ·复合栅介质TFT的老化特性研究第55-57页
   ·本章小结第57-58页
第5章 壳聚糖基单双侧栅纸张TFT第58-74页
   ·引言第58-59页
   ·实验试剂和设备第59-61页
     ·实验试剂以及设备第59页
     ·单/双侧栅纸张ΤΦΤ的制备工艺第59-61页
   ·实验结果与讨论第61-72页
     ·单侧栅纸张ΤFΤ的电学性能第61-68页
     ·双侧栅纸张TFT的电学性能第68-72页
   ·本章小结第72-74页
第6章 壳聚糖基无结纸张TFT第74-85页
   ·引言第74-75页
   ·实验部分第75-77页
     ·实验试剂以及设备第75页
     ·低电压无结纸张TFT的制备第75-77页
   ·实验结果与讨论第77-84页
     ·无结纸张TFT的电学特性分析第77-80页
     ·无结双侧栅纸张TFT的电学特性第80-84页
   ·本章小结第84-85页
结论第85-88页
参考文献第88-103页
附录A 攻读学位期间发表的学术论文第103-104页
附录B 攻读学位期间参与科研项目第104-105页
致谢第105页

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