基于40nm CMOS工艺低功耗温度传感器的设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·温度传感器的研究背景及意义 | 第7-8页 |
| ·温度传感器的发展历史及现状 | 第8-11页 |
| ·传统的分立式温度传感器 | 第8-9页 |
| ·模拟集成温度传感器/控制器 | 第9-10页 |
| ·智能温度传感器 | 第10页 |
| ·温度传感器的发展现状 | 第10-11页 |
| ·本论文的工作 | 第11-13页 |
| 第二章 CMOS温度传感器的基本原理 | 第13-27页 |
| ·温度检测元件 | 第13-18页 |
| ·双极晶体管的负温度效应 | 第14-17页 |
| ·双极晶体管的正温度系数 | 第17-18页 |
| ·温度传感电路基本原理 | 第18-23页 |
| ·带隙基准式温度传感器 | 第18-20页 |
| ·开关电流源温度传感器 | 第20-23页 |
| ·误差的分析 | 第23-27页 |
| ·寄生串联电阻 | 第23页 |
| ·电流增益 | 第23-24页 |
| ·高场注入 | 第24页 |
| ·厄利效应 | 第24-25页 |
| ·压电结型效应 | 第25-26页 |
| ·VBE的影响 | 第26-27页 |
| 第三章 感温电路的设计和仿真 | 第27-45页 |
| ·启动电路和电流源 | 第27-29页 |
| ·电压跟随器 | 第29-34页 |
| ·开环增益 | 第30页 |
| ·单位增益带宽 | 第30-31页 |
| ·相位裕度 | 第31-32页 |
| ·电源抑制比 | 第32页 |
| ·共模抑制比 | 第32-33页 |
| ·建立时间 | 第33-34页 |
| ·转换速率 | 第34页 |
| ·开关电容放大器 | 第34-38页 |
| ·带隙基准 | 第38-43页 |
| ·温漂系数 | 第41-42页 |
| ·电源抑制比 | 第42页 |
| ·噪声 | 第42-43页 |
| ·功耗 | 第43页 |
| ·总体仿真 | 第43-45页 |
| 第四章 模数转换器的分类和选择 | 第45-55页 |
| ·数模转换器的分类 | 第45-48页 |
| ·模数转换器的比较和选择 | 第48-49页 |
| ·Flash ADC和SAR ADC的比较 | 第48页 |
| ·Pipeline ADC和SAR ADC的比较 | 第48页 |
| ·Σ-Δ ADC和SAR ADC的比较 | 第48-49页 |
| ·S40NLLAD2H | 第49-55页 |
| ·总体功能描述 | 第49-51页 |
| ·时序特征 | 第51-52页 |
| ·输入-输出特性曲线 | 第52页 |
| ·参数说明 | 第52-55页 |
| 第五章 论文总结和展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
