| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-11页 |
| 1 双大马士革工艺简介 | 第11-18页 |
| ·等离子刻蚀简介 | 第11-14页 |
| ·双大马士革工艺简介 | 第14-16页 |
| ·自对准双大马士革SADD (Self aligned Dual Damascene) | 第14页 |
| ·沟槽刻蚀优先双大马士革（Trench First Dual Damascene） | 第14-15页 |
| ·通孔刻蚀优先双大马士革（VIA First Dual Damascene） | 第15-16页 |
| ·无中间层的双大马士革 | 第16-18页 |
| 2 VIA 通孔刻蚀 | 第18-27页 |
| ·VIA 通孔刻蚀前的薄膜结构 | 第18-21页 |
| ·对VIA 通孔刻蚀的要求 | 第18-19页 |
| ·VIA 通孔刻蚀存在的问题和初步解决方案 | 第19页 |
| ·F/C 比对电介质刻蚀的影响 | 第19-21页 |
| ·VIA 通孔刻蚀实验 | 第21-26页 |
| ·VIA 通孔刻蚀小结 | 第26-27页 |
| 3 BARC 刻蚀 | 第27-32页 |
| ·BARC 刻蚀前的薄膜结构 | 第27-28页 |
| ·对BARC Etch 的要求 | 第28页 |
| ·BARC 刻蚀存在的问题和初步解决方案 | 第28页 |
| ·BARC 刻蚀实验 | 第28-31页 |
| ·BARC 刻蚀小结 | 第31-32页 |
| 4 Trench 沟槽刻蚀 | 第32-45页 |
| ·Trench 沟槽刻蚀前的薄膜结构 | 第32-34页 |
| ·对Trench Etch 的要求 | 第32-33页 |
| ·Trench Etch 存在的问题和初步解决方案 | 第33-34页 |
| ·Trench 沟槽刻蚀实验 | 第34-44页 |
| ·Trench 沟槽刻蚀小结 | 第44-45页 |
| 5 Nitride Remove 刻蚀 | 第45-49页 |
| ·Nitride Remove 刻蚀前的薄膜结构 | 第45-46页 |
| ·对Nitride Remove 刻蚀的要求 | 第45页 |
| ·Nitride Remove 存在的问题和初步解决方案 | 第45-46页 |
| ·Nitride Remove 刻蚀实验 | 第46-48页 |
| ·Nitride Remove 刻蚀小结 | 第48-49页 |
| 6 实验总结与展望 | 第49-54页 |
| ·实验分析与总结 | 第49-52页 |
| ·VIA 通孔刻蚀分析 | 第49-50页 |
| ·Trench 沟槽刻蚀分析 | 第50-52页 |
| ·讨论与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第56-58页 |
