铜化学机械抛光工艺的抛光液研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-8页 |
| 符号与缩写说明 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·半导体制造概述 | 第9-13页 |
| ·半导体制造的发展史 | 第9-10页 |
| ·半导体制造工艺简介 | 第10-12页 |
| ·集成电路铜工艺 | 第12-13页 |
| ·集成电路平坦化工艺 | 第13-19页 |
| ·平坦化的定义 | 第13-15页 |
| ·平坦化工艺的发展 | 第15-18页 |
| ·铜化学机械抛光 | 第18-19页 |
| ·研究背景与研究意义 | 第19-22页 |
| 第二章 实验原理分析 | 第22-29页 |
| ·化学机械抛光原理 | 第22-25页 |
| ·抛光率的影响因素 | 第22-24页 |
| ·表面膜的形成 | 第24-25页 |
| ·配位剂与抑制剂的作用 | 第25页 |
| ·抛光液对碟形缺陷响 | 第25-29页 |
| 第三章 抛光率与蚀刻率实验 | 第29-39页 |
| ·抛光率，蚀刻率与表面平整 | 第29-33页 |
| ·铜片 VS 铜薄膜 | 第33-36页 |
| ·配位剂实验 | 第36-38页 |
| ·本章小节 | 第38-39页 |
| 第四章 表面平整性 | 第39-47页 |
| ·表面分析 | 第39-42页 |
| ·SEM 分析 | 第42-44页 |
| ·AFM 图象 | 第44-46页 |
| ·本章小节 | 第46-47页 |
| 第五章 工程中的应用 | 第47-51页 |
| ·抛光液配方对碟形的影响 | 第47-49页 |
| ·抛光液中的抛光颗粒实验 | 第49-50页 |
| ·本章小节 | 第50-51页 |
| 第六章 总结与展望 | 第51-53页 |
| ·总结 | 第51-52页 |
| ·未来的展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
