| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·课题研究的背景 | 第10-11页 |
| ·国内外研究的现状 | 第11-12页 |
| ·论文的主要工作和内容安排 | 第12-14页 |
| ·主要工作 | 第12页 |
| ·内容安排 | 第12-14页 |
| 第二章 静电放电保护的基本原理及结构 | 第14-28页 |
| ·ESD 保护的基本原理 | 第14-15页 |
| ·常用的ESD 保护器件 | 第15-20页 |
| ·二极管 | 第16页 |
| ·双极型晶体管 | 第16-17页 |
| ·MOS 型晶体管 | 第17-19页 |
| ·场管 | 第19-20页 |
| ·可控硅SCR | 第20页 |
| ·常用的静电放电保护结构 | 第20-28页 |
| ·反偏二极管 | 第21-22页 |
| ·GGMOS | 第22-23页 |
| ·衬底触发FOD 结构 | 第23-24页 |
| ·SCR 结构 | 第24-28页 |
| 第三章 静电放电模型及静电放电测试 | 第28-39页 |
| ·静电放电模型及工业标准 | 第28-34页 |
| ·人体模型（Human Body Model，HBM） | 第28-30页 |
| ·机器模型（Machine Model，MM） | 第30-32页 |
| ·器件充电模型（Charged-Device Model，CDM） | 第32-34页 |
| ·静电放电的测试组合 | 第34-37页 |
| ·I/O 脚对电源和地的静电放电测试 | 第34-35页 |
| ·Pin-to-Pin 的静电放电测试 | 第35-36页 |
| ·VDD-to-VSS 的静电放电测试 | 第36-37页 |
| ·静电放电敏感度分类 | 第37-39页 |
| 第四章 Hspice 和Medici 软件介绍 | 第39-51页 |
| ·电路仿真软件Hspice 介绍 | 第39-47页 |
| ·直流分析 | 第39-40页 |
| ·暂态分析 | 第40页 |
| ·交流小信号分析 | 第40-41页 |
| ·Hspice 的输入与输出文件 | 第41-42页 |
| ·元件描述语句 | 第42-44页 |
| ·激励源描述语句 | 第44-46页 |
| ·子电路描述语句 | 第46页 |
| ·其它描述语句 | 第46-47页 |
| ·半导体器件仿真工具MEDICI | 第47-51页 |
| ·器件仿真工具MEDICI 简介 | 第47-48页 |
| ·MEDICI 的语法概览 | 第48-51页 |
| 第五章 高速ESD 保护电路的仿真和分析 | 第51-74页 |
| ·影响ESD 速度的因素 | 第51-52页 |
| ·高速ESD 保护电路的结构 | 第52-55页 |
| ·Hspice 仿真及分析 | 第55-63页 |
| ·理想状态下输出端ESD 保护电路仿真 | 第56-59页 |
| ·加入寄生效应后输出端ESD 保护电路的仿真 | 第59-63页 |
| ·MEDICI 仿真和分析 | 第63-74页 |
| ·ESD 器件仿真 | 第63-73页 |
| ·MEDICI 仿真中需要注意的事项 | 第73-74页 |
| 第六章 电路和版图设计需要注意的事项 | 第74-79页 |
| ·ESD 电路设计要注意的事项 | 第74页 |
| ·版图参数对 ESD 保护器件性能的影响 | 第74-79页 |
| 第七章 结论与展望 | 第79-81页 |
| ·论文的结论 | 第79页 |
| ·对未来工作的展望 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |