| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1. 绪论 | 第7-13页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·SiCGe 三元合金能带宽度 | 第7-8页 |
| ·SiCGe 三元合金的外延生长主要面临的问题 | 第8页 |
| ·SiCGe 三元合金材料的外延生长方法 | 第8-11页 |
| ·Si 上SiCGe 外延薄膜 | 第9-11页 |
| ·SiC 上SiCGe 外延薄膜 | 第11页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第11-13页 |
| 2 . 薄膜的生长机理分析 | 第13-20页 |
| ·薄膜生长的化学过程及其分析 | 第13-14页 |
| ·SiH_4 的热分解反应 | 第13页 |
| ·C_3H_8 的热分解反应 | 第13页 |
| ·吸附表面反应 | 第13-14页 |
| ·异质外延薄膜生长三种模式 | 第14-20页 |
| ·岛状生长模式的详细论述 | 第16-20页 |
| 3. 实验设备及工艺 | 第20-29页 |
| ·实验设备简介 | 第20-25页 |
| ·供气系统 | 第20-21页 |
| ·反应室及加热装置 | 第21-23页 |
| ·真空机组及真空检测系统 | 第23页 |
| ·循环水冷却系统 | 第23页 |
| ·温度控制系统 | 第23页 |
| ·尾气处理系统 | 第23-25页 |
| ·薄膜生长工艺 | 第25-29页 |
| ·衬底的准备 | 第25页 |
| ·影响生长的薄膜品质的因素 | 第25-26页 |
| ·本论文研究的工艺 | 第26-27页 |
| ·实验工艺小结 | 第27-29页 |
| 4. 实验结果分析 | 第29-43页 |
| ·缓 缓冲层的XRD分析 | 第29-34页 |
| ·XRD 分析原理 | 第29-30页 |
| ·不同流量，相同温度、时间条件下生长缓冲层的SAXRD 分析 | 第30-34页 |
| ·缓 缓冲层对SiCGe薄膜质量的影响 | 第34-43页 |
| ·扫描电子显微镜分析（SEM）原理 | 第34-36页 |
| ·缓冲层的扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第36-38页 |
| ·在不同生长时间的缓冲层上生长SiCGe 薄膜分析 | 第38-43页 |
| 5. 结束语 | 第43-44页 |
| ·总结 | 第43页 |
| ·对今后进一步工作的设想 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 附录 | 第47页 |