| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| ·课题研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| ·国内外同类课题研究现状以及发展趋势 | 第10-15页 |
| ·脉象传感器 | 第10-13页 |
| ·信号预处理系统 | 第13-14页 |
| ·数据采集系统 | 第14-15页 |
| ·脉象分析系统的发展趋势 | 第15页 |
| ·课题完成的主要工作 | 第15-17页 |
| 第2章 脉象信息检测系统的硬件构成 | 第17-52页 |
| ·概述（系统框架） | 第17-18页 |
| ·信号预处理电路 | 第18页 |
| ·数据采集以及下位机电路 | 第18-33页 |
| ·A/D 转换 | 第19-30页 |
| ·下位机AT89S52 | 第30-33页 |
| ·A/D 转换单元同下位机电路连接图 | 第33页 |
| ·传感器随动结构 | 第33-43页 |
| ·传动机构 | 第33-41页 |
| ·驱动电路 | 第41-43页 |
| ·各单元接口 | 第43-51页 |
| ·单片机和步进电机驱动芯片间接口电路 | 第44-46页 |
| ·上位机和下位机串口通讯电平转换接口电路 | 第46-49页 |
| ·AD202 外围电路 | 第49-50页 |
| ·传感器电源 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第3章 硅脉象传感器 | 第52-71页 |
| ·力学量传感器概述 | 第52页 |
| ·半导体压阻式传感器设计思路 | 第52-62页 |
| ·半导体压阻效应 | 第53-54页 |
| ·压阻系数和灵敏度 | 第54-56页 |
| ·半导体材料选择 | 第56-58页 |
| ·利用P 沟道MOSFET 的沟道电阻构成惠斯通电桥 | 第58-62页 |
| ·传感器结构设计 | 第62-67页 |
| ·硅杯膜片厚度设计 | 第62-63页 |
| ·MOSFETs 沟道位置和P-掺杂区设计 | 第63-65页 |
| ·满量程输出的理论计算 | 第65-67页 |
| ·硅脉象传感器的版图设计和工艺过程 | 第67-70页 |
| ·硅脉象传感器的版图设计 | 第67-68页 |
| ·硅脉象传感器的工艺过程 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第4章 上位机和下位机串行通信及其通信协议开发 | 第71-91页 |
| ·串行通信 | 第71-84页 |
| ·串行通信的传输方式 | 第71-72页 |
| ·串行通信的同步方式 | 第72-75页 |
| ·下位机和上位机的串口I/O 实现 | 第75-84页 |
| ·脉象检测系统串行通信协议 | 第84-90页 |
| ·用户层串口通信协议 | 第85-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 第5章 脉象信息显示系统软件设计 | 第91-105页 |
| ·下位机软件设计 | 第91-96页 |
| ·下位机C 语言和汇编语言混合编程 | 第91-92页 |
| ·脉检系统下位机软件 | 第92-96页 |
| ·上位机软件设计 | 第96-104页 |
| ·上位机软件各模块功能简述 | 第96-98页 |
| ·Visual C++6.0 平台创建脉检程序项目工程 | 第98-99页 |
| ·上位机串口控制方法 | 第99-101页 |
| ·相应代码简述 | 第101-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 第6章 系统测试实验结果 | 第105-121页 |
| ·传感器测试实验结果 | 第105-108页 |
| ·I-V 特性测试 | 第105-106页 |
| ·传感器压力响应输出测试 | 第106页 |
| ·传感器线性度（非线性误差） | 第106-108页 |
| ·上位机软件实验 | 第108-114页 |
| ·虚拟串口软件连接串口 | 第108-109页 |
| ·下位机模拟程序 | 第109-110页 |
| ·上位机下位机软件虚拟连接实验 | 第110-114页 |
| ·下位机实验 | 第114-117页 |
| ·制作ISP 下载线 | 第115-116页 |
| ·利用ISP 下载线烧写MCU 程序 | 第116-117页 |
| ·搭建下位机实验电路板 | 第117页 |
| ·上位机发送指令控制步进电机动作实验 | 第117-118页 |
| ·用模拟信号实验整个系统 | 第118-120页 |
| ·本章小结 | 第120-121页 |
| 结论 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-129页 |
| 致谢 | 第129页 |