采用MEMS技术研制硅脉象传感器
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-19页 |
| ·硅脉象传感器的研究背景及意义 | 第8-9页 |
| ·脉象传感器的研究现状 | 第9-13页 |
| ·脉象传感器的种类 | 第9-12页 |
| ·脉象传感器国内外研究现状 | 第12-13页 |
| ·常见的脉象仪 | 第13-16页 |
| ·WD-I 型脉像仪 | 第13-14页 |
| ·多维脉象换能器 | 第14-15页 |
| ·中医指套传感器脉象仪 | 第15页 |
| ·脉象采集数字手套 | 第15-16页 |
| ·高精度阵列脉搏传感器 | 第16页 |
| ·脉象传感器的发展趋势 | 第16页 |
| ·MEMS 技术的概况及特点 | 第16-17页 |
| ·主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 硅脉象传感器的工作原理 | 第19-32页 |
| ·应力和应变的概念 | 第19-20页 |
| ·压阻效应和压阻系数 | 第20-22页 |
| ·P 沟道MOSFET 的工作原理 | 第22-24页 |
| ·硅脉象传感器的调零问题 | 第24-26页 |
| ·硅脉象传感器的灵敏度温度补偿 | 第26-29页 |
| ·硅脉象传感器的输出 | 第29-31页 |
| ·恒压源供电 | 第29-30页 |
| ·恒流源供电 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 硅脉象传感器的结构设计与分析 | 第32-44页 |
| ·半导体材料选择 | 第32页 |
| ·硅杯膜片厚度设计 | 第32-33页 |
| ·硅弹性膜片形状的选择 | 第33-35页 |
| ·MOSFETs 沟道 P-掺杂区的设计 | 第35-36页 |
| ·P-MOSFETs 沟道位置的确定 | 第36-39页 |
| ·方形硅膜应力分析 | 第39-42页 |
| ·满量程输出的理论计算 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 硅脉象传感器的版图设计与制作工艺 | 第44-61页 |
| ·硅脉象传感器的版图设计 | 第44-45页 |
| ·研制硅脉象传感器的制作工艺 | 第45-55页 |
| ·清洗硅片 | 第45-46页 |
| ·氧化 | 第46-48页 |
| ·光刻 | 第48-51页 |
| ·低压化学气相淀积（LPCVD） | 第51-52页 |
| ·离子注入 | 第52-54页 |
| ·蒸铝 | 第54-55页 |
| ·感应耦合等离子体（ICP）刻蚀 | 第55页 |
| ·硅脉象传感器的制作工艺流程 | 第55-58页 |
| ·硅脉象传感器的封装 | 第58-60页 |
| ·对脉象传感器封装的要求 | 第59页 |
| ·硅脉象传感器的测试封装结构 | 第59-60页 |
| ·制作过程中存在的问题 | 第60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 硅脉象传感器特性测试 | 第61-75页 |
| ·硅脉象传感器特性测试与讨论 | 第61-65页 |
| ·I-V 特性测试 | 第61-62页 |
| ·高低温测试 | 第62-64页 |
| ·室温下硅脉象传感器的压力测试 | 第64-65页 |
| ·传感器的静态特性 | 第65-73页 |
| ·线性度（非线性误差） | 第65-70页 |
| ·迟滞 | 第70-71页 |
| ·重复性 | 第71-73页 |
| ·灵敏度 | 第73页 |
| ·准确度 | 第73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
