| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-14页 |
| 第一章 引言 | 第14-34页 |
| §1.1 半导体量子限制结构简介 | 第17-23页 |
| ·半导体量子限制结构的电子结构 | 第18-20页 |
| ·半导体量子限制结构的物理特性 | 第20-23页 |
| §1.2 半导体量子限制结构的理论研究方法简介 | 第23-32页 |
| ·κ·p方法和有效质量近似 | 第23-30页 |
| ·紧束缚方法 | 第30-31页 |
| ·经验赝势方法 | 第31-32页 |
| §1.3 本章小结 | 第32-34页 |
| 第二章 光学瞬态相干效应 | 第34-54页 |
| §2.1 光场与物质的相互作用 | 第34-43页 |
| ·密度矩阵运动方程 | 第35-36页 |
| ·光场与光学介质的瞬态相干光学作用 | 第36-38页 |
| ·光学布洛赫方程 | 第38-43页 |
| §2.2 光学瞬态相干效应 | 第43-51页 |
| ·光学章动效应 | 第43-45页 |
| ·光学自由感应衰变效应 | 第45-46页 |
| ·光子回波效应 | 第46-51页 |
| ·光学自感应透明效应 | 第51页 |
| §2.3 瞬态相干效应光谱的应用 | 第51-53页 |
| §2.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第三章 半导体量子点中载流子的光跃迁过程 | 第54-60页 |
| §3.1 Al.L.Efros和A.L.Efros模型 | 第54-55页 |
| §3.2 半导体量子点的量子态、波函数和光跃迁过程 | 第55-59页 |
| ·强限制作用下的光跃迁过程 | 第55-57页 |
| ·量子点的电子-空穴互作用和激子态 | 第57-59页 |
| §3.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 CdSe/ZnS核壳结构量子点量子阱中光跃迁研究 | 第60-78页 |
| §4.1 CdSe/ZnS核壳结构量子点量子阱简介 | 第60-62页 |
| §4.2 CdSe/ZnS核壳结构量子点量子阱中载流子光跃迁动力学研究 | 第62-76页 |
| ·理论模型的建立 | 第62-65页 |
| ·电子导带内的子带间的光跃迁 | 第65-71页 |
| ·电子带间的光跃迁过程 | 第71-76页 |
| §4.3 本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 CdSe/ZnS核壳结构量子点量子阱的光学章动效应 | 第78-87页 |
| §5.1 电子1s-2s态间光跃迁的光学章动效应 | 第78-82页 |
| §5.2 电子穿透势垒光跃迁的光学章动效应 | 第82-85页 |
| §5.3 本章小结 | 第85-87页 |
| 第六章 CdSe/ZnS核壳结构量子点量子阱的光子回波效应 | 第87-92页 |
| §6.1 激子跃迁的光子回波信号 | 第87-88页 |
| §6.2 量子点量子阱尺寸和结构的改变对光子回波效应的影响 | 第88-91页 |
| §6.3 本章小结 | 第91-92页 |
| 第七章 GaAs量子阱中的电子自旋驰豫研究 | 第92-101页 |
| §7.1 太赫兹电磁波 | 第92-94页 |
| §7.2 周期性外场与物质相互作用的Floquet理论简介 | 第94-95页 |
| §7.3 THz激光场下GaAs量子阱中的电子自旋调控 | 第95-99页 |
| §7.4 数值计算结果和讨论 | 第99-100页 |
| §7.5 本章小结 | 第100-101页 |
| 第八章 总结和展望 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-115页 |
| 博士期间发表的论文 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116页 |
