首页--数理科学和化学论文--物理学论文--半导体物理学论文--半导体理论论文--半导体量子理论论文

半导体量子点自旋弛豫和自旋量子拍的研究

摘要第1-8页
Abstract第8-13页
第一章 引言第13-31页
 §1.1 自旋电子学第13-14页
 §1.2 自旋极化和磁阻效应第14-16页
 §1.3 自旋弛豫和自旋退相干第16-29页
     ·Elliott-Yafet(EY)机制第19-22页
     ·D'yakonov-Perel'(DP)机制第22-25页
     ·Bir-Aronov-Pikus(BAP)机制第25-27页
     ·超精细相互作用的机制第27-29页
 §1.4 本文的内容安排第29-31页
第二章 量子点的能带结构第31-44页
 §2.1 k·p微扰法及有效质量理论第32-34页
 §2.2 自旋轨道(SO)耦合第34-37页
 §2.3 包络函数近似(EFA)第37-39页
 §2.4 量子点能级及波函数第39-43页
 §2.5 本章小结第43-44页
第三章 Inks量子点中的自旋-晶格弛豫的参量相关特征第44-57页
 §3.1 固体中的自旋弛豫第44-46页
 §3.2 自旋-晶格作用导致的弛豫率第46-50页
 §3.3 InAs量子点电子的自旋弛豫第50-52页
 §3.4 计算结果与分析第52-56页
 §3.5 本章小结第56-57页
第四章 量子点中自旋-轨道作用下的自旋弛豫第57-78页
 §4.1 理论模型第57-61页
     ·系统哈密顿及Fock-Darwin能谱第57-58页
     ·Dresselhaus和Rashba自旋-轨道项第58-60页
     ·声子作用项第60页
     ·电子自旋弛豫率第60-61页
 §4.2 GaAs量子点的自旋弛豫率第61-70页
     ·能级与能级差第63-64页
     ·电子有效质量m~*和g因子第64-65页
     ·自旋弛豫率Г的参量相关第65-70页
 §4.3 InAs量子点的自旋弛豫率第70-76页
 §4.4 本章小结第76-78页
第五章 InAs量子点中自旋量子拍的相关特征第78-91页
 §5.1 简介第78-80页
 §5.2 自旋哈密顿第80-82页
 §5.3 自旋量子拍第82-83页
 §5.4 计算结果与讨论第83-89页
 §5.5 本章小结第89-91页
第六章 各向异性量子点自旋弛豫第91-105页
 §6.1 引言第91页
 §6.2 Schuh非平凡振子的数学处理第91-96页
 §6.3 各向异性量子点自旋弛豫第96-100页
     ·哈密顿正则变换第96-97页
     ·自旋轨道耦合作用第97-98页
     ·各向异性自旋弛豫率第98-100页
 §6.4 计算结果和分析第100-104页
 §6.5 本章小结第104-105页
第七章 总结与展望第105-108页
附录A 二阶微扰下的本征能量和本征函数第108-110页
参考文献第110-124页
攻博期间发表论文第124-125页
致谢第125页

论文共125页,点击 下载论文
上一篇:半导体量子限制结构的光学瞬态相干效应研究
下一篇:II-VI族半导体耦合/复合低维结构光学非线性