摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-13页 |
第一章 引言 | 第13-31页 |
§1.1 自旋电子学 | 第13-14页 |
§1.2 自旋极化和磁阻效应 | 第14-16页 |
§1.3 自旋弛豫和自旋退相干 | 第16-29页 |
·Elliott-Yafet(EY)机制 | 第19-22页 |
·D'yakonov-Perel'(DP)机制 | 第22-25页 |
·Bir-Aronov-Pikus(BAP)机制 | 第25-27页 |
·超精细相互作用的机制 | 第27-29页 |
§1.4 本文的内容安排 | 第29-31页 |
第二章 量子点的能带结构 | 第31-44页 |
§2.1 k·p微扰法及有效质量理论 | 第32-34页 |
§2.2 自旋轨道(SO)耦合 | 第34-37页 |
§2.3 包络函数近似(EFA) | 第37-39页 |
§2.4 量子点能级及波函数 | 第39-43页 |
§2.5 本章小结 | 第43-44页 |
第三章 Inks量子点中的自旋-晶格弛豫的参量相关特征 | 第44-57页 |
§3.1 固体中的自旋弛豫 | 第44-46页 |
§3.2 自旋-晶格作用导致的弛豫率 | 第46-50页 |
§3.3 InAs量子点电子的自旋弛豫 | 第50-52页 |
§3.4 计算结果与分析 | 第52-56页 |
§3.5 本章小结 | 第56-57页 |
第四章 量子点中自旋-轨道作用下的自旋弛豫 | 第57-78页 |
§4.1 理论模型 | 第57-61页 |
·系统哈密顿及Fock-Darwin能谱 | 第57-58页 |
·Dresselhaus和Rashba自旋-轨道项 | 第58-60页 |
·声子作用项 | 第60页 |
·电子自旋弛豫率 | 第60-61页 |
§4.2 GaAs量子点的自旋弛豫率 | 第61-70页 |
·能级与能级差 | 第63-64页 |
·电子有效质量m~*和g因子 | 第64-65页 |
·自旋弛豫率Г的参量相关 | 第65-70页 |
§4.3 InAs量子点的自旋弛豫率 | 第70-76页 |
§4.4 本章小结 | 第76-78页 |
第五章 InAs量子点中自旋量子拍的相关特征 | 第78-91页 |
§5.1 简介 | 第78-80页 |
§5.2 自旋哈密顿 | 第80-82页 |
§5.3 自旋量子拍 | 第82-83页 |
§5.4 计算结果与讨论 | 第83-89页 |
§5.5 本章小结 | 第89-91页 |
第六章 各向异性量子点自旋弛豫 | 第91-105页 |
§6.1 引言 | 第91页 |
§6.2 Schuh非平凡振子的数学处理 | 第91-96页 |
§6.3 各向异性量子点自旋弛豫 | 第96-100页 |
·哈密顿正则变换 | 第96-97页 |
·自旋轨道耦合作用 | 第97-98页 |
·各向异性自旋弛豫率 | 第98-100页 |
§6.4 计算结果和分析 | 第100-104页 |
§6.5 本章小结 | 第104-105页 |
第七章 总结与展望 | 第105-108页 |
附录A 二阶微扰下的本征能量和本征函数 | 第108-110页 |
参考文献 | 第110-124页 |
攻博期间发表论文 | 第124-125页 |
致谢 | 第125页 |