改性Ge材料光电特性研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-22页 |
| 1.2.1 改性Ge材料制备技术 | 第17-20页 |
| 1.2.2 改性Ge材料在光学、电学器件上的应用 | 第20-22页 |
| 1.3 本论文主要工作与章节安排 | 第22-24页 |
| 第二章 改性Ge材料能带结构研究 | 第24-42页 |
| 2.1 应变Ge导带能带结构模型构建 | 第24-34页 |
| 2.1.1 应变Ge导带E-k关系 | 第24-27页 |
| 2.1.2 应变Ge导带各参数模型 | 第27-34页 |
| 2.2 应变Ge价带能带结构模型 | 第34-40页 |
| 2.2.1 应变Ge价带E-k关系 | 第34-36页 |
| 2.2.2 应变Ge价带参数模型构建 | 第36-40页 |
| 2.3 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 改性Ge材料光学特性研究 | 第42-66页 |
| 3.1 改性Ge导带载流子的统计分布模型 | 第42-47页 |
| 3.2 改性Ge材料注入载流子的复合 | 第47-52页 |
| 3.2.1 Ge中注入载流子复合方式 | 第47-48页 |
| 3.2.2 注入非平衡载流子寿命模型 | 第48-52页 |
| 3.3 改性Ge材料内量子效率模型 | 第52-58页 |
| 3.4 张应变Ge材料吸收系数模型 | 第58-60页 |
| 3.5 改性Ge材料折射率模型 | 第60-64页 |
| 3.5.1 张应变材料折射率 | 第60-63页 |
| 3.5.2 GeSn合金材料折射率 | 第63-64页 |
| 3.6 本章小结 | 第64-66页 |
| 第四章 改性Ge材料迁移率研究 | 第66-88页 |
| 4.1 散射的量子力学基础——费米黄金法则 | 第66-71页 |
| 4.2 改性Ge材料各散射模型 | 第71-77页 |
| 4.2.1 晶格散射模型 | 第71-74页 |
| 4.2.2 离化杂质散射模型 | 第74-76页 |
| 4.2.3 谷间声子散射模型 | 第76页 |
| 4.2.4 应变Ge及GeSn合金迁移率模型 | 第76-77页 |
| 4.3 结果讨论与分析 | 第77-87页 |
| 4.3.1 应变Ge材料电子及空穴迁移率 | 第77-82页 |
| 4.3.2 GeSn合金材料电子及空穴迁移率 | 第82-87页 |
| 4.4 本章小结 | 第87-88页 |
| 第五章 总结与展望 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 作者简介 | 第95-96页 |
