| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 仿生复眼结构的研究目的与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 复眼概述 | 第9页 |
| 1.3 仿生复眼结构的国内外研究现状 | 第9-12页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 外界干扰对InP多孔层的影响 | 第14-21页 |
| 2.1 实验部分 | 第14-15页 |
| 2.1.1 实验材料及设备 | 第14页 |
| 2.1.2 实验过程 | 第14-15页 |
| 2.2 实验结果 | 第15-18页 |
| 2.3 外界干扰对InP多孔层的影响 | 第18-19页 |
| 2.4 本章小结 | 第19-21页 |
| 第三章 电子束曝光技术辅助电化学刻蚀技术制备仿生复眼结构 | 第21-35页 |
| 3.1 电子束曝光的原理 | 第21页 |
| 3.2 实验部分 | 第21-23页 |
| 3.2.1 实验材料及仪器设备 | 第21页 |
| 3.2.2 基于InP的仿生复眼结构的制备 | 第21-23页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第23-33页 |
| 3.3.1 电子束曝光技术所得孔阵的形貌表征 | 第23-24页 |
| 3.3.2 电化学刻蚀所得半球形径向多孔结构的形貌表征 | 第24-27页 |
| 3.3.2.1 不同间距不同尺寸的半球形多孔结构 | 第25-27页 |
| 3.3.3 基于InP的仿生复眼结构的形貌表征 | 第27-28页 |
| 3.3.4 基于InP的仿生复眼结构的光学特性分析 | 第28-30页 |
| 3.3.5 刻蚀时间对InP半球形径向多孔结构的影响 | 第30-32页 |
| 3.3.6 刻蚀电流密度对InP半球形径向多孔结构的影响 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 激光干涉技术辅助电化学刻蚀技术制备仿生复眼结构 | 第35-42页 |
| 4.1 激光干涉的原理 | 第35-36页 |
| 4.2 实验部分 | 第36-38页 |
| 4.2.1 实验材料及设备 | 第36页 |
| 4.2.2 双光束激光干涉系统的搭建 | 第36-37页 |
| 4.2.3 仿生复眼结构的制备 | 第37-38页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第38-41页 |
| 4.3.1 基于InP的仿生复眼结构的形貌表征 | 第38-39页 |
| 4.3.2 基于InP的仿生复眼结构的光学特性分析 | 第39-41页 |
| 4.3.3 仿生复眼结构的转移 | 第41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第42-43页 |
| 5.2 工作展望 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 附录 | 第48页 |
