功率半导体器件失效模型多物理场仿真分析
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-12页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第11-12页 |
| 第2章 功率半导体器件及其失效模式 | 第12-23页 |
| 2.1 功率半导体器件分类 | 第12页 |
| 2.2 IGBT的工作原理与结构 | 第12-19页 |
| 2.2.1 IGBT的封装与电学特性 | 第13-17页 |
| 2.2.2 IGBT工作机理 | 第17-18页 |
| 2.2.3 IGBT结构分析 | 第18-19页 |
| 2.3 常见功率半导体器件的失效 | 第19-21页 |
| 2.3.1 与器件使用有关的失效 | 第20页 |
| 2.3.2 与器件固有缺陷有关的失效 | 第20-21页 |
| 2.4 BJT和MOSFET的典型失效模式 | 第21-23页 |
| 第3章 半导体器件建模 | 第23-36页 |
| 3.1 半导体物理基础 | 第23-28页 |
| 3.1.1 半导体中的载流子运动 | 第23-26页 |
| 3.1.2 实验数据与假设 | 第26-28页 |
| 3.2 半导体器件建模 | 第28-31页 |
| 3.2.1 子电路建模法 | 第29页 |
| 3.2.2 数值建模法 | 第29-31页 |
| 3.3 软件概述 | 第31-36页 |
| 3.3.1 软件概述 | 第31-32页 |
| 3.3.2 物理场及其参数 | 第32-33页 |
| 3.3.3 半导体模型参数 | 第33-36页 |
| 第4章 IGBT失效机理分析 | 第36-47页 |
| 4.1 PT型IGBT的典型失效机理 | 第36-44页 |
| 4.1.1 双极型BJT的通态电阻影响机理 | 第37-40页 |
| 4.1.2 单极型MOSFET的通态电阻影响机理 | 第40-42页 |
| 4.1.3 PT型IGBT的通态失效机理 | 第42-44页 |
| 4.2 IGBT动态关断瞬时失效 | 第44-47页 |
| 4.2.1 动态雪崩原理 | 第44页 |
| 4.2.2 IGBT的动态雪崩失效 | 第44-45页 |
| 4.2.3 IGBT缺陷模型举例 | 第45-47页 |
| 第5章 IGBT典型失效原因与机理 | 第47-51页 |
| 5.1 典型失效原因 | 第47-50页 |
| 5.2 其他失效原因 | 第50-51页 |
| 第6章 总结与展望 | 第51-52页 |
| 6.1 总结 | 第51页 |
| 6.2 不足与今后工作展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第56-57页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研工作 | 第57页 |
