| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-16页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第16页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第16-18页 |
| 第二章 SGT-MOSFET击穿电压与导通电阻特性研究 | 第18-32页 |
| 2.1 SGT-MOSFET的仿真软件及其制备工艺 | 第18-19页 |
| 2.2 屏蔽栅器件结构原理 | 第19-23页 |
| 2.3 SGT-MOSFET导通电阻研究 | 第23-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 SGT-MOSFET的EAS失效分析 | 第32-50页 |
| 3.1 功率MOSFET雪崩耐量测试原理 | 第32-33页 |
| 3.2 SGT-MOSFET器件的雪崩耐量测试 | 第33-36页 |
| 3.3 SGT-MOSFET器件的EAS失效分析 | 第36-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 高雪崩耐量低导通电阻SGT-MOSFET优化设计 | 第50-60页 |
| 4.1 SGT-MOSFET雪崩耐量研究 | 第50-53页 |
| 4.2 双外延SGT-MOSFET结构设计 | 第53-55页 |
| 4.3 高雪崩耐量低导通电阻SGT-MOSFET的版图结构设计 | 第55-56页 |
| 4.4 高雪崩耐量低导通电阻SGT-MOSFET终端结构设计 | 第56-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 高雪崩耐量低导通电阻SGT-MOSFET流片测试 | 第60-66页 |
| 5.1 高雪崩耐量低导通电阻SGT-MOSFET器件的工艺流程 | 第60-61页 |
| 5.2 SGT-MOSFET器件的流片测试结果 | 第61-64页 |
| 5.3 本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士学位期间的成果和发表的论文 | 第74页 |
