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近阈值低漏电标准单元库设计

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-15页
    1.1 研究背景及意义第9-10页
    1.2 国内外研究现状第10-11页
    1.3 研究内容与指标第11-13页
        1.3.1 研究内容第11-12页
        1.3.2 设计指标第12-13页
    1.4 论文结构第13-15页
第二章 低功耗设计理论基础第15-29页
    2.1 晶体管工作区域第15-16页
    2.2 电路功耗产生机理第16-20页
    2.3 漏电设计优化思路第20-23页
        2.3.1 堆叠效应第20-21页
        2.3.2 功耗门控第21-22页
        2.3.3 动态阈值电压第22-23页
    2.4 常见低功耗单元设计结构第23-27页
        2.4.1 低电压下的功耗门控第24-25页
        2.4.2 休眠保持法第25-26页
        2.4.3 漏电反馈法第26-27页
    2.5 漏电功耗降低技术比较第27页
    2.6 本章小结第27-29页
第三章 低漏电数字单元设计第29-45页
    3.1 优化种类和设计参数第29-33页
        3.1.1 优化种类第29-30页
        3.1.2 功耗第30-31页
        3.1.3 延时第31-32页
        3.1.4 可靠性第32-33页
    3.2 组合逻辑单元设计第33-37页
        3.2.1 设计结构第33-35页
        3.2.2 参数设计第35-36页
        3.2.3 设计结果第36-37页
    3.3 时序和运算逻辑单元设计第37-43页
        3.3.1 D触发器的设计第38-41页
        3.3.2 状态保持触发器的设计第41-42页
        3.3.3 一位全加器的设计第42-43页
    3.4 本章小结第43-45页
第四章 版图设计及后仿真验证第45-69页
    4.1 标准单元版图设计注意事项第45-46页
    4.2 组合逻辑单元后仿验证第46-52页
        4.2.1 组合逻辑单元版图第46-47页
        4.2.2 组合逻辑单元后仿真第47-52页
    4.3 时序逻辑单元后仿验证第52-57页
        4.3.1 时序逻辑单元版图第52-53页
        4.3.2 时序逻辑单元后仿真第53-57页
    4.4 运算逻辑单元后仿验证第57-61页
        4.4.1 运算逻辑单元版图第57页
        4.4.2 运算逻辑单元后仿真第57-61页
    4.5 单元可靠性分析第61-63页
        4.5.1 反相器可靠性第61页
        4.5.2 多输入单元可靠性第61-63页
    4.6 单元建库第63-65页
        4.6.1 标准单元库设计第63-64页
        4.6.2 标准单元库建库流程第64-65页
    4.7 本章小结第65-69页
第五章 电路应用第69-75页
    5.1 测试平台第69-70页
    5.2 测试流程第70-71页
    5.3 测试结果和分析第71-73页
    5.4 本章小结第73-75页
第六章 总结与展望第75-77页
    6.1 总结第75页
    6.2 展望第75-77页
致谢第77-79页
参考文献第79-83页
作者简介第83-85页
附录一 后仿真波形图第85-91页
附录二 NAND2标准单元库视图第91-96页
附录三 DFF标准单元库视图第96-100页

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