| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 太赫兹技术及应用 | 第9-11页 |
| 1.2 太赫兹探测器 | 第11-12页 |
| 1.3 CMOS太赫兹探测器研究进展 | 第12-13页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 CMOS太赫兹探测器 | 第16-36页 |
| 2.1 CMOS太赫兹探测器工作原理 | 第16-23页 |
| 2.1.1 准静态分析 | 第16-20页 |
| 2.1.2 非准静态分析 | 第20-23页 |
| 2.2 CMOS尺寸对传感器性能的影响 | 第23-27页 |
| 2.2.1 CMOS栅长对电压响应的影响 | 第23-26页 |
| 2.2.2 CMOS栅宽对电压响应的影响 | 第26-27页 |
| 2.3 带电波天线的CMOS探测器 | 第27-34页 |
| 2.3.1 电波天线 | 第27-29页 |
| 2.3.2 CMOS传感器的输入阻抗 | 第29-33页 |
| 2.3.3 CMOS太赫兹探测器设计 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 第三章 CMOS太赫兹传感器结构的优化 | 第36-57页 |
| 3.1 源极寄生电容分析 | 第36-40页 |
| 3.1.1 MOSFET器件结构及电容模型 | 第36-38页 |
| 3.1.2 源极寄生电容对MOSFET传感器性能的的影响 | 第38-40页 |
| 3.2 非自对准MOSFET结构设计及验证 | 第40-48页 |
| 3.2.1 非自对准结构设计 | 第40-43页 |
| 3.2.2 非自对准结构的工艺制备及版图 | 第43-45页 |
| 3.2.3 非自对准MOSFET探测器性能表征和讨论 | 第45-48页 |
| 3.3 环栅MOSFET结构的设计及验证 | 第48-55页 |
| 3.3.1 环栅MOSFET结构设计 | 第49-50页 |
| 3.3.2 环栅MOSFET结构的3D-TCAD模拟 | 第50-52页 |
| 3.3.3 环栅MOSFET探测器性能表征和讨论 | 第52-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第四章 片上太赫兹探测器的电路设计 | 第57-73页 |
| 4.1 前置放大器设计 | 第57-65页 |
| 4.1.1 放大器设计指标 | 第57-58页 |
| 4.1.2 运算放大器基本结构 | 第58-60页 |
| 4.1.3 折叠式共源共栅放大器设计 | 第60-63页 |
| 4.1.4 放大器的仿真与版图设计 | 第63-64页 |
| 4.1.5 与套筒式共源共栅放大器比较 | 第64-65页 |
| 4.2 片上LDO驱动电路设计 | 第65-71页 |
| 4.2.1 漏端驱动电流对探测器响应的影响 | 第65-68页 |
| 4.2.2 LDO结构驱动电路设计 | 第68-69页 |
| 4.2.3 驱动电路仿真结果和讨论 | 第69-71页 |
| 4.3 本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-74页 |
| 5.1 总结 | 第73页 |
| 5.2 展望 | 第73-74页 |
| 硕士期间成果 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
