| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 研究背景和研究意义 | 第9-11页 |
| 1.2 Cu-Cu键合与Cu-Sn-Cu键合的应用现状 | 第11-13页 |
| 1.3 铜柱互连结构的界面反应机理 | 第13-15页 |
| 1.4 铜柱互连结构的电迁移研究现状分析 | 第15-18页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第18-19页 |
| 2 实验材料和研究方法 | 第19-29页 |
| 2.1 互连微结构制备的实验材料 | 第19-22页 |
| 2.2 互连微结构的样品制备方法 | 第22-26页 |
| 2.3 互连微结构样品制备设备 | 第26-27页 |
| 2.4 互连微结构样品表征方法 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 电镀Cu-Sn-Ni-Cu柱的制备与表征 | 第29-45页 |
| 3.1 电镀Cu-Sn-Ni-Cu柱的制备方法 | 第29-31页 |
| 3.2 电镀Cu柱的生长过程与形貌分析 | 第31-35页 |
| 3.3 电镀Cu-Sn柱的形貌与界面分析 | 第35-39页 |
| 3.4 电镀Cu-Sn-Ni柱的形貌分析 | 第39-40页 |
| 3.5 电镀Cu-Sn-Ni-Cu柱的形貌与界面分析 | 第40-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 Cu-Sn-Ni-Cu互连微结构的制备及表征 | 第45-60页 |
| 4.1 Cu-Sn-Ni-Cu互连微结构设计 | 第45-48页 |
| 4.2 Cu-Sn-Ni-Cu互连微结构制备过程 | 第48-57页 |
| 4.3 Cu-Sn-Ni-Cu互连微结构电气性能表征 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 5 Cu-Sn-Ni-Cu互连微结构电迁移的数值模拟 | 第60-79页 |
| 5.1 Cu-Sn-Ni-Cu互连微结构电迁移数学模型 | 第60-61页 |
| 5.2 Cu-Sn-Ni-Cu互连微结构电迁移的数值建模及计算过程 | 第61-64页 |
| 5.3 Cu-Sn-Ni-Cu互连微结构电迁移数值模拟结果分析 | 第64-70页 |
| 5.4 Cu-Sn-Ni-Cu互连微结构电迁移数值模拟的影响因素分析 | 第70-77页 |
| 5.5 本章小结 | 第77-79页 |
| 6 全文总结与展望 | 第79-81页 |
| 6.1 全文总结 | 第79-80页 |
| 6.2 展望 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-89页 |
| 附录1攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第89页 |
