纳米CMOS集成电路单粒子瞬态的若干机理研究
| 摘要 | 第1-16页 |
| Abstract | 第16-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-42页 |
| ·课题研究背景 | 第18-30页 |
| ·软错误是航天应用集成电路失效的主要因素 | 第18-19页 |
| ·单粒子瞬态的研究需求迫切 | 第19-23页 |
| ·辐射试验重要性日益凸显 | 第23-30页 |
| ·国内外研究现状与不足 | 第30-38页 |
| ·单粒子瞬态的产生机理 | 第30-33页 |
| ·器件级单粒子瞬态的研究 | 第33-35页 |
| ·电路级单粒子瞬态的研究 | 第35-38页 |
| ·本文研究工作 | 第38-39页 |
| ·本文组织结构 | 第39-42页 |
| 第二章 寄生双极放大效应对SET的影响 | 第42-60页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·相关研究的不足 | 第42-43页 |
| ·TCAD混合模拟 | 第43-48页 |
| ·模拟结构设计 | 第43-44页 |
| ·模拟设置 | 第44-45页 |
| ·模拟结果与分析 | 第45-48页 |
| ·重离子辐照试验 | 第48-58页 |
| ·试验芯片设计 | 第48-52页 |
| ·试验设置 | 第52-54页 |
| ·试验结果与分析 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第三章 SET与阱结构的相关性 | 第60-78页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·相关研究的不足 | 第60-61页 |
| ·TCAD混合模拟 | 第61-70页 |
| ·模拟结构设计 | 第61-62页 |
| ·模拟设置 | 第62-63页 |
| ·模拟结果与分析 | 第63-70页 |
| ·重离子辐照试验 | 第70-77页 |
| ·试验芯片设计 | 第70-71页 |
| ·试验设置 | 第71页 |
| ·试验结果与分析 | 第71-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 第四章 SET与电路布局的相关性 | 第78-96页 |
| ·引言 | 第78页 |
| ·相关研究的不足 | 第78-79页 |
| ·重离子辐照试验 | 第79-84页 |
| ·试验芯片设计 | 第79-80页 |
| ·试验设置 | 第80-81页 |
| ·试验结果与分析 | 第81-84页 |
| ·TCAD混合模拟 | 第84-94页 |
| ·模拟结构设计 | 第84-85页 |
| ·模拟设置 | 第85-86页 |
| ·模拟结果与分析 | 第86-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 第五章 触发器内部SET与频率的相关性 | 第96-108页 |
| ·引言 | 第96页 |
| ·相关研究的不足 | 第96页 |
| ·TCAD混合模拟 | 第96-100页 |
| ·模拟结构设计 | 第96-97页 |
| ·模拟设置 | 第97页 |
| ·模拟结果与分析 | 第97-100页 |
| ·重离子辐射试验 | 第100-106页 |
| ·试验芯片设计 | 第100页 |
| ·试验设置 | 第100-101页 |
| ·试验结果与分析 | 第101-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 第六章 结论与展望 | 第108-112页 |
| ·本文所做的工作 | 第108-109页 |
| ·下一步的研究工作 | 第109-112页 |
| 致谢 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-128页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第128-129页 |
