| 第一章 前言 | 第1-24页 |
| 1．1 ZnO材料研究现状 | 第7-14页 |
| 1．2 ZnO材料的性质及应用 | 第14-17页 |
| 1．3 ZnO薄膜外延生长方法 | 第17-22页 |
| 1．4 本论文的主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 ZnO薄膜生长取向偏差的X光衍射分析 | 第24-48页 |
| 2．1 生长ZnO薄膜的MOVPE系统简介 | 第24-28页 |
| 2．2 ZnO薄膜的MOVPE生长 | 第28-29页 |
| 2．3 ZnO薄膜生长取向偏差分析 | 第29-37页 |
| 2．4 生长温度对ZnO薄膜表面形貌及光电特性的影响 | 第37-47页 |
| 2．4．1 ZnO薄膜的表面形貌 | 第37-40页 |
| 2．4．2 ZnO薄膜的光致发光特性 | 第40-44页 |
| 2．4．3 Hall效应测量ZnO薄膜的电学特性 | 第44-47页 |
| 2．5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 Al_2O_3衬底上ZnO薄膜的生长、特性及掺杂研究 | 第48-65页 |
| 3．1 O_2流量对ZnO薄膜性质的影响 | 第48-56页 |
| 3．1．1 O_2流量对ZnO薄膜结晶性能的影响 | 第48-50页 |
| 3．1．2 O_2流量对ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第50-52页 |
| 3．1．3 O_2流量对ZnO薄膜光致发光性能的影响 | 第52-54页 |
| 3．1．4 O_2流量对ZnO薄膜电学性能的影响 | 第54-56页 |
| 3．2 ZnO薄膜的N掺杂 | 第56-64页 |
| 3．2．1 等离子体增强MOVPE系统生长NH_3掺杂的ZnO薄膜 | 第56-57页 |
| 3．2．2 NH_3气流量对ZnO薄膜结晶特性的影响 | 第57-58页 |
| 3．2．3 N掺杂ZnO薄膜XPS分析 | 第58-62页 |
| 3．2．4 N掺杂ZnO薄膜的表面形貌 | 第62-63页 |
| 3．2．5 N掺杂ZnO薄膜PL谱 | 第63-64页 |
| 3．3 本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 CaF_2及GaAs衬底上ZnO薄膜的生长及特性研究 | 第65-81页 |
| 4．1 CaF_2衬底上ZnO薄膜的生长及特性 | 第65-73页 |
| 4．1．1 CaF_2衬底上ZnO薄膜的生长 | 第65-66页 |
| 4．1．2 ZnO／CaF_2薄膜的结晶特性 | 第66-67页 |
| 4．1．3 ZnO／CaF_2薄膜的表面形貌 | 第67-68页 |
| 4．1．4 ZnO／CaF_2薄膜的光透射谱 | 第68-70页 |
| 4．1．5 ZnO／CaF_2薄膜的光致发光特性(PL谱) | 第70-73页 |
| 4．2 GaAs衬底上ZnO薄膜的生长及特性 | 第73-80页 |
| 4．2．1 GaAs衬底上ZnO薄膜的生长 | 第73-74页 |
| 4．2．2 GaAs衬底上ZnO薄膜的结构特性 | 第74-77页 |
| 4．2．3 GaAs衬底上ZnO薄膜的光致发光特性 | 第77-78页 |
| 4．2．4 GaAs衬底上ZnO薄膜的电学特性 | 第78-80页 |
| 4．3 本章小结 | 第80-81页 |
| 第五章 本征p型ZnO薄膜的生长及其特性研究 | 第81-93页 |
| 5．1 p型ZnO薄膜的研究进展 | 第81-82页 |
| 5．2 p型ZnO薄膜的制备 | 第82-83页 |
| 5．3 本征p型ZnO薄膜的特性 | 第83-92页 |
| 5．3．1 p-ZnO薄膜的结构特性 | 第83页 |
| 5．3．2 p-ZnO薄膜的形貌特征 | 第83-85页 |
| 5．3．3 p-ZnO薄膜的Hall测量 | 第85-88页 |
| 5．3．4 p-ZnO薄膜的光致发光特性 | 第88-92页 |
| 5．4 本章小节 | 第92-93页 |
| 结论 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-108页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第108-112页 |
| 摘要 | 第112-115页 |
| ABSTRACT | 第115-117页 |
