| 第一章 电光检测技术综述 | 第1-30页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·电光检测技术的产生与发展 | 第9-14页 |
| ·电光检测技术的基本原理 | 第14-17页 |
| ·线性电光效应 | 第14-15页 |
| ·电光调制原理 | 第15-17页 |
| ·电光材料 | 第17-19页 |
| ·无机电光材料 | 第17-18页 |
| ·聚合物电光材料 | 第18-19页 |
| ·电光检测技术的应用 | 第19-23页 |
| ·检测高速集成电路 | 第19-20页 |
| ·探测自由空间传播的ＴＨｚ电磁辐射场 | 第20-21页 |
| ·连续波电光检测 | 第21-23页 |
| ·本论文的主要工作 | 第23页 |
| 参考文献 | 第23-30页 |
| 第二章 电光检测技术的空间分辨率 | 第30-41页 |
| ·光学系统的空间分辨率 | 第30-32页 |
| ·瑞利判据 | 第30-31页 |
| ·显微镜的空间分辨率 | 第31-32页 |
| ·电光检测技术空间分辨率的定义 | 第32-33页 |
| ·电光检测技术空间分辨率的研究与发展 | 第33-39页 |
| ·空间分辨率的发展 | 第33-35页 |
| ·提高空间分辨率的研究 | 第35-39页 |
| ·小结 | 第39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第三章 超半球型电光固浸透镜的研究 | 第41-72页 |
| ·固体浸没透镜技术 | 第41-51页 |
| ·固浸透镜技术的产生和发展 | 第42-44页 |
| ·超半球型固浸透镜技术的应用 | 第44-51页 |
| ·超半球型电光固浸透镜 | 第51-54页 |
| ·材料的选择 | 第51-52页 |
| ·制作过程 | 第52-54页 |
| ·超半球型固浸透镜的基本原理 | 第54-56页 |
| ·超半球固浸透镜应用于外部电光检测技术 | 第56-68页 |
| ·测量系统 | 第57-58页 |
| ·实验结果及理论分析 | 第58-65页 |
| ·空间分辨率 | 第65-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 第四章 半球型电光固浸透镜亚微米空间分辨率的实验研究 | 第72-95页 |
| ·半球型固浸透镜技术的研究与发展 | 第72-73页 |
| ·半球型固浸透镜技术的应用 | 第73-78页 |
| ·半球型固浸透镜的基本原理 | 第78-79页 |
| ·半球型固浸透镜的选材与制作 | 第79-80页 |
| ·半球型固浸透镜的像差分析 | 第80-82页 |
| ·亚微米空间分辨率的实验研究 | 第82-91页 |
| ·空间分辨率的理论与实验分析 | 第82-83页 |
| ·陶瓷微带线电场分布的测量 | 第83-91页 |
| ·小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第五章 微型电光探针的研究与制作 | 第95-107页 |
| ·空间分辨率突破衍射极限的限制 | 第95-97页 |
| ·突破分辨率的极限 | 第95-96页 |
| ·外部电光检测技术空间分辨率的突破 | 第96-97页 |
| ·湿法化学腐蚀 | 第97-100页 |
| ·GaAs的腐蚀机制 | 第97-99页 |
| ·常用的GaAs腐蚀液 | 第99-100页 |
| ·GaAs微型电光探针的制作 | 第100-103页 |
| ·GaAs的晶体结构 | 第100-101页 |
| ·实验结果及讨论 | 第101-103页 |
| ·微型电光探针的应用 | 第103-104页 |
| ·小结 | 第104页 |
| 参考文献 | 第104-107页 |
| 结束语 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 博士论文期间发表的论文 | 第109-110页 |
| 摘要 | 第110-112页 |
| ABSTRACT | 第112-114页 |