首页--数理科学和化学论文--物理学论文--半导体物理学论文--半导体性质论文

超晶格SnO2半导体材料的电子结构及物性

摘要第1-9页
Abstract第9-11页
第一章 绪论第11-17页
   ·引言第11-12页
   ·研究现状第12-15页
   ·论文研究内容及意义第15-17页
     ·研究内容第15页
     ·研究意义第15-17页
第二章 理论基础第17-25页
   ·密度泛函理论第17-20页
     ·多粒子体系薛定谔方程第17-18页
     ·Hohenberg-Kohn 定理第18-19页
     ·Kohn-Sham 方程第19-20页
   ·交换关联能近似第20-21页
     ·局域密度近似(Local Density Approximation, LDA)第20页
     ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation, GGA)第20-21页
   ·波函数的选取第21-23页
     ·全电子法和赝势法第21页
     ·线性缀加平面波法第21-23页
   ·WIEN2K 程序介绍第23-25页
第三章 单层 Cr 掺杂 SnO_2超晶格的电子结构和光学性质第25-33页
   ·理论模型第25-26页
   ·计算结果及分析第26-31页
     ·电子态密度第26-27页
     ·能带结构第27-28页
     ·光学性质第28-31页
       ·介电函数第28-29页
       ·吸收系数 I(ω)、反射率 R、折射率 n(ω)第29-31页
   ·本章小结第31-33页
第四章 多层 Cr 掺杂 SnO_2超晶格的电子结构和光学性质第33-41页
   ·理论模型第33页
   ·计算结果及分析第33-38页
     ·电子态密度第33-36页
     ·能带结构第36页
     ·光学性质第36-38页
   ·本章小结第38-41页
第五章 氧空位对 Cr 掺杂 SnO_2超晶格的电子结构和磁性的影响第41-47页
   ·理论模型第41页
   ·计算结果及分析第41-45页
   ·本章小结第45-47页
第六章 Co、Mn 共掺杂 SnO_2超晶格的电子结构和光学性质第47-53页
   ·理论模型第47-48页
   ·计算结果及分析第48-52页
     ·电子态密度第48-49页
     ·能带结构第49-50页
     ·光学性质第50-52页
   ·本章小结第52-53页
第七章 Cr 掺杂 SnO_2超晶格的电子结构和光学性质:GGA+U第53-59页
   ·理论模型第53页
   ·计算结果及分析第53-57页
     ·电子态密度第53-55页
     ·能带结构第55页
     ·光学性质第55-57页
   ·本章小结第57-59页
第八章 结论与展望第59-61页
参考文献第61-69页
致谢第69-71页
附录第71页

论文共71页,点击 下载论文
上一篇:ZnMgO薄膜的制备及其特性的研究
下一篇:N掺SnO2基半导体材料的光电性能