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N掺SnO2基半导体材料的光电性能

摘要第1-9页
Abstract第9-12页
第一章 绪论第12-18页
   ·引言第12-13页
   ·研究现状与不足第13-16页
   ·论文研究内容及意义第16-18页
     ·研究内容第16页
     ·研究意义第16-18页
第二章 理论基础第18-32页
   ·第18-24页
     ·多粒子体系薛定谔方程第18-19页
     ·绝热近似(Born-Oppenheimer 近似)第19页
     ·哈特里–福克近似(Hartree-Fock 近似)第19-21页
     ·Hohenberg-Kohn 定理第21-22页
     ·Kohn-Sham 方程第22-24页
   ·交换关联能近似第24-25页
     ·局域密度近似(Local Density Approximation, LDA)第24-25页
     ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation, GGA)第25页
   ·波函数的选取第25-28页
     ·全电子法和赝势法第25-26页
     ·线性缀加平面波法第26-28页
   ·WIEN2K 程序介绍第28-32页
第三章 Sn_(1-χ)N_χO_2材料的电子结构和光学性质第32-37页
   ·理论模型第32-33页
   ·计算结果及分析第33-36页
     ·电子结构第33-35页
     ·光学性质第35-36页
   ·小结第36-37页
第四章 不同浓度的 N 对 SnO_2材料光电性质的研究第37-43页
   ·理论模型和计算方法第37页
   ·计算结果及分析第37-41页
     ·电子态密度第37-39页
     ·能带结构第39-40页
     ·光学性质第40-41页
   ·本章小结第41-43页
第五章 Sn(O_(1-χ)N_χ)_2材料的电子结构和光学性质第43-50页
   ·理论模型第43页
   ·计算结果及分析第43-49页
     ·电子态密度第43-46页
     ·能带结构第46页
     ·磁性第46-47页
     ·光学性质第47-49页
   ·本章小结第49-50页
第六章 N:SnO_2反位替代的电子结构和光学性质第50-56页
   ·理论模型第50页
   ·计算结果及分析第50-54页
     ·电子态密度第50-53页
     ·光学性质第53-54页
   ·本章小结第54-56页
第七章 Sn(O_(1-x)N_x)_2薄膜材料的光电性能第56-61页
   ·理论模型第56页
   ·计算结果及分析第56-60页
     ·电子态密度第56-58页
     ·光学性质第58-60页
   ·本章小结第60-61页
第八章 结论与展望第61-63页
参考文献第63-68页
致谢第68-69页
附录第69页

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