应变硅MOS器件应力分布与电学特性的模拟研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-8页
第一章 绪论	第8-15页
·引言	第8-10页
·应变硅技术的历史与现状	第10-13页
·论文的主要工作	第13-15页
第二章 应变硅技术的物理机制与应变引入方式	第15-25页
·应变硅技术的物理机制	第15-19页
·应变硅中电子的输运	第16-17页
·应变硅中空穴的输运	第17-19页
·应变的引入方式	第19-25页
·衬底诱生应变	第19-21页
·工艺诱生应变	第21-23页
·后加工诱生应变	第23-25页
第三章 应变硅MOSFET 的应力与应变研究	第25-43页
·应力与应变	第25-27页
·SiC S/D 应变硅NMOSFET	第27-35页
·器件的结构与制造	第27-29页
·有限元模型的建立	第29-31页
·计算结果与分析	第31-35页
·弛豫SiGe 上应变硅NMOSFET	第35-40页
·器件的结构与制造	第35-36页
·有限元模型的建立	第36-37页
·计算结果与分析	第37-40页
·SiGe S/D 应变硅PMOSFET	第40-42页
·本章小结	第42-43页
第四章 应变硅MOSFET 的电学特性研究	第43-64页
·软件平台与研究方法	第43-44页
·应变硅NMOS 的TCAD 研究	第44-53页
·模型的描述	第44-48页
·计算结果与分析	第48-51页
·多应力结构应变硅NMOSFET	第51-53页
·应变硅PMOS 的TCAD 研究	第53-60页
·模型的描述	第53-56页
·计算结果与分析	第56-59页
·多应力结构应变硅PMOSFET	第59-60页
·应变硅CMOS 反相器的VTC 研究	第60-62页
·本章小结	第62-64页
第五章 总结与展望	第64-66页
致谢	第66-67页
参考文献	第67-75页
附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文	第75页