GaN基蓝光LED的光学特性研究
| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·研究的背景 | 第11-14页 |
| ·国内外研究现状 | 第14-15页 |
| ·本文研究的目的与意义 | 第15-17页 |
| 第二章 GaN基半导体材料的性质 | 第17-29页 |
| ·GaN的基本性质 | 第17-19页 |
| ·GaN的晶体结构 | 第17-18页 |
| ·GaN的化学性质 | 第18页 |
| ·GaN的电学性质 | 第18-19页 |
| ·GaN的光学性质 | 第19页 |
| ·InGaN/GaN量子阱的性质 | 第19-21页 |
| ·量子阱的基本概念 | 第19-20页 |
| ·InGaN/GaN量子阱简述 | 第20-21页 |
| ·InGaN/GaN蓝光LED的生长及制备 | 第21-29页 |
| ·半导体材料的生长技术 | 第21-26页 |
| ·InGaN/GaN蓝光LED的生长 | 第26-29页 |
| 第三章 半导体光学特性测量原理及实验配置 | 第29-57页 |
| ·发光的定义及分类 | 第29-33页 |
| ·发光的定义 | 第29-30页 |
| ·发光的分类 | 第30-33页 |
| ·半导体材料发光原理及表征 | 第33-44页 |
| ·半导体中电子-空穴的复合 | 第33-36页 |
| ·半导体的发光 | 第36-42页 |
| ·半导体发光的表征 | 第42-44页 |
| ·测量系统概述 | 第44-54页 |
| ·激发系统 | 第44-45页 |
| ·分光系统 | 第45-49页 |
| ·探测系统 | 第49-52页 |
| ·制冷系统 | 第52-54页 |
| ·其他辅助设备 | 第54页 |
| ·测量实验配置 | 第54-57页 |
| 第四章 GaN基蓝光LED的光学特性分析 | 第57-69页 |
| ·实验条件及样品 | 第57-58页 |
| ·样品发光特性的激发光功率、温度依赖性 | 第58-69页 |
| ·样品发光特性的激发光功率依赖性 | 第59-64页 |
| ·样品发光特性的温度依赖性 | 第64-67页 |
| ·内量子效率(IQE) | 第67-69页 |
| 第五章 研究工作总结与展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第79-80页 |
| 附件 | 第80页 |
