| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 主要符号表 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| ·GaN基材料概述 | 第13-18页 |
| ·GaN基本性质 | 第13-15页 |
| ·AlGaN/GaN异质结材料的极化特性 | 第15-18页 |
| ·课题研究的背景和意义 | 第18-21页 |
| ·本文的研究内容与安排 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 器件的制备与测试 | 第25-34页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN异质结构材料的生长 | 第25-27页 |
| ·衬底材料的选取 | 第25-26页 |
| ·MOCVD生长技术 | 第26-27页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN异质结构器件的制备过程 | 第27-29页 |
| ·版图的设计 | 第27-29页 |
| ·器件制备工艺流程 | 第29页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN异质结构材料与器件的测试 | 第29-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 AlGaN/AlN/GaN肖特基势垒二极管2DEG电子迁移率研究 | 第34-44页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN肖特基势垒二极管肖特基接触下串联电阻提取方法的研究 | 第34-40页 |
| ·功耗法计算方法的推导 | 第34-36页 |
| ·功耗法有效性的证明 | 第36-40页 |
| ·利用功耗法研究肖特基势垒二极管2DEG电子迁移率 | 第40-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第四章 肖特基漏AlGaN/AlN/GaN HFET AlGaN势垒层应变研究 | 第44-55页 |
| ·肖特基漏AlGaN/AlN/GaN HFET的栅源间C-V特性研究 | 第44-47页 |
| ·肖特基漏AlGaN/AlN/GaN HFET串联电阻分析 | 第47-49页 |
| ·肖特基漏AlGaN/AlN/GaN HFET的2DEG电子迁移率 | 第49-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第五章 AlGaN/AlN/GaN异质结界面陷阱态研究 | 第55-65页 |
| ·缺陷及陷阱电荷的基本概念 | 第55-57页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN异质结构等效模型 | 第57-59页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN异质结界面陷阱态研究 | 第59-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第68-69页 |
| Paper 1 | 第69-81页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第81页 |
