| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1.绪论 | 第10-30页 |
| ·铁电体及其基本特征 | 第10-15页 |
| ·铁电薄膜材料及发展概况 | 第15-21页 |
| ·铁电薄膜材料在存储器中的应用 | 第21-28页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第28-30页 |
| 2.BTO铁电薄膜的制备和测试方法 | 第30-43页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·铁电薄膜的制备 | 第30-39页 |
| ·薄膜的表征和性能测试 | 第39-43页 |
| 3.BTO铁电薄膜的A位La掺杂改性研究 | 第43-71页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·BTO薄膜微观结构、铁电性能测试和表征 | 第44-51页 |
| ·Bi_2O_3过量对BLT薄膜性能的影响 | 第51-65页 |
| ·BLT和BTO薄膜的电特性比较 | 第65-69页 |
| ·本章小节 | 第69-71页 |
| 4.BTO铁电薄膜的A位Pr掺杂改性研究 | 第71-87页 |
| ·引言 | 第71页 |
| ·A位Pr掺杂对BTO薄膜性能的影响 | 第71-83页 |
| ·BPT-0.9薄膜和BTO薄膜电特性比较 | 第83-85页 |
| ·本章小节 | 第85-87页 |
| 5.BTO的B位及A/B位掺杂改性研究 | 第87-114页 |
| ·引言 | 第87页 |
| ·B位Zr掺杂对BLT薄膜性能的影响 | 第87-92页 |
| ·B位V掺杂对BTO薄膜性能的影响 | 第92-100页 |
| ·A位La、B位V以及A/B位La/V共掺杂BTO薄膜性能比较 | 第100-106页 |
| ·B位Mn掺杂BLT陶瓷性能研究 | 第106-112页 |
| ·本章小结 | 第112-114页 |
| 6.缓冲层引入与BLT薄膜性能的优化研究 | 第114-133页 |
| ·引言 | 第114页 |
| ·Bi_2O_3缓冲层对BLT薄膜性能的影响 | 第114-124页 |
| ·TiO_2缓冲层对BLT薄膜性能的影响 | 第124-131页 |
| ·本章小结 | 第131-133页 |
| 7 全文总结 | 第133-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
| 参考文献 | 第136-151页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表和待发表的论文目录 | 第151-152页 |