| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 摘要 | 第8页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 锗的发展历史 | 第8-11页 |
| 1.3 锗的机遇与挑战 | 第11-12页 |
| 1.4 金属锗化物的发展 | 第12-13页 |
| 1.5 论文内容安排 | 第13-14页 |
| 第二章 金属锗化物薄膜样品制备和测试方法 | 第14-25页 |
| 摘要 | 第14页 |
| 2.1 样品清洗及制备工艺 | 第14-18页 |
| 2.1.1 清洗方式 | 第14-15页 |
| 2.1.2 金属薄膜淀积 | 第15-17页 |
| 2.1.3 金属锗化物的生成 | 第17-18页 |
| 2.2 样品测试表征方法 | 第18-25页 |
| 2.2.1 薄层电阻和四探针 | 第18-19页 |
| 2.2.2 X射线衍射 | 第19-20页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第20-22页 |
| 2.2.4 透射电子显微镜 | 第22-23页 |
| 2.2.5 能量色散X射线光谱分析 | 第23-24页 |
| 2.2.6 X射线光电子能谱分析 | 第24-25页 |
| 第三章 Ni/Ge(100)的固相反应特性 | 第25-51页 |
| 摘要 | 第25页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 样品制备条件及结构 | 第25-26页 |
| 3.3 Ni/Ge(100)固相反应特性研究 | 第26-49页 |
| 3.3.1 薄层电阻R_s与RTP热处理温度的关系 | 第26-29页 |
| 3.3.2 生成锗化物的物相分析 | 第29-36页 |
| 3.3.3 生成物薄膜的扫描电镜分析 | 第36-40页 |
| 3.3.4 生成物薄膜的透射电镜分析 | 第40-43页 |
| 3.3.5 能量色散X射线光谱分析 | 第43-45页 |
| 3.3.6 X射线光电子能谱分析 | 第45-46页 |
| 3.3.7 讨论 | 第46-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 金属/n型锗的肖特基电学特性 | 第51-61页 |
| 摘要 | 第51页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 样品制备条件及结构 | 第51-52页 |
| 4.3 金属-半导体接触介绍 | 第52-54页 |
| 4.4 电流特性 | 第54-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 硕士期间发表论文 | 第72-73页 |