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高精度硅差压传感器温度补偿与过载保护中心膜片研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第12-22页
    1.1 课题来源第12页
    1.2 研究背景和意义第12-14页
    1.3 高精度硅差压传感器结构特点及工作原理第14-15页
    1.4 硅压力/差压传感器国内外发展现状第15-20页
        1.4.1 压力/差压传感器的性能指标第15-17页
        1.4.2 压力/差压传感器发展现状第17-18页
        1.4.3 压力/差压传感器温度补偿国内外发展现状第18-19页
        1.4.4 差压传感器膜片研究国内外发展现状第19-20页
    1.5 论文的主要研究内容及结构第20-21页
    1.6 本章小结第21-22页
第二章 高精度硅差压传感器温变误差分析及三膜盒热膨胀效应分析第22-33页
    2.1 半导体材料的压阻效应第22-23页
    2.2 硅差压传感器敏感芯片结构及其工作原理第23-26页
    2.3 硅差压传感器温度漂移误差分析第26-27页
    2.4 传统温度补偿方法第27-30页
        2.4.1 硬件补偿第27-28页
        2.4.2 插值补偿&查表法第28-30页
    2.5 差压传感器三膜片膜盒结构及其工作原理第30页
    2.6 三膜盒结构的热膨胀效应第30-32页
    2.7 本章小结第32-33页
第三章 基于神经网络的差压传感器温度补偿算法研究第33-57页
    3.1 神经网络概述和神经元模型第33-34页
    3.2 BP神经网络和RBF神经网络模型第34-36页
        3.2.1 BP神经网络第34-50页
        3.2.2 RBF神经网络第50-35页
        3.2.3 BP和RBF神经网络模型对比研究第35-36页
    3.3 RBF神经网络参数的确定第36-51页
        3.3.1 RBF神经网络隐藏层节点个数的确定第37-38页
        3.3.2 RBF神经网络基函数中心值的确定第38-43页
        3.3.3 RBF神经网络扩展值的确定第43-48页
        3.3.4 RBF神经网络权值的确定第48-51页
    3.4 差压传感器温度补偿算法第51-55页
        3.4.1 基本算法流程和框架图第52-53页
        3.4.2 算法设计及举例第53-55页
    3.5 本章小结第55-57页
第四章 差压传感器变温标定实验及温度补偿结果分析第57-80页
    4.1 差压传感器变温标定实验设计及实验平台搭建第57-62页
        4.1.1 变温标定实验方案第57-58页
        4.1.2 实验设备及器材第58页
        4.1.3 实验平台搭建第58-59页
        4.1.4 标定实验数据采集第59-61页
        4.1.5 实验数据分析第61-62页
    4.2 实验数据预处理第62-64页
        4.2.1 实验数据归一化第62-63页
        4.2.2 训练数据和测试数据划分第63页
        4.2.3 误差评价标准-引用误差第63-64页
    4.3 差压传感器温度补偿算法网络参数计算第64-73页
        4.3.1 隐藏层节点个数确定第64-66页
        4.3.2 隐藏层中心值聚类第66-68页
        4.3.3 扩展值寻优第68-73页
        4.3.4 权值计算第73页
    4.4 差压传感器温度补偿网络建立及补偿结果分析第73-77页
    4.5 差压传感器温度补偿方法优化第77-78页
    4.6 本章小结第78-80页
第五章 差压传感器过载保护中心波纹膜片设计研究第80-87页
    5.1 波纹膜片变形理论研究第80-81页
    5.2 等效温度法与波纹膜片变形仿真第81-82页
    5.3 波纹膜片变形实验设计第82-84页
    5.4 变形理论值与实际值对比第84-85页
    5.5 过载能力实验第85-86页
    5.6 本章小结第86-87页
总结与展望第87-90页
    总结第87-88页
    创新点第88页
    未来展望第88-90页
参考文献第90-96页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第96-97页
致谢第97-98页
附件第98页

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