| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 GaN材料的主要特性 | 第16-17页 |
| 1.2 本文的研究意义和研究方法 | 第17-18页 |
| 1.3 AlGaN/GaN HEMT器件的小信号模型研究现状 | 第18-21页 |
| 1.4 AlGaN/GaN HEMT器件的大信号模型研究现状 | 第21-23页 |
| 1.5 本文的研究内容及章节安排 | 第23-26页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件的工作原理及射频S参数 | 第26-36页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT器件的结构及工作原理 | 第26-28页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件制造的关键技术 | 第28-31页 |
| 2.2.1 GaN衬底的选择 | 第28-29页 |
| 2.2.2 异质结外延层生长技术 | 第29-30页 |
| 2.2.3 欧姆接触和肖特基接触 | 第30-31页 |
| 2.2.4 表面钝化和空气桥技术 | 第31页 |
| 2.3 射频S参数、Y参数和Z参数 | 第31-34页 |
| 2.3.1 二端口网络的Z参数矩阵 | 第31-32页 |
| 2.3.2 二端口网络的Y参数矩阵 | 第32页 |
| 2.3.3 二端口网络的S参数 | 第32-33页 |
| 2.3.4 S参数、Y参数和Z参数之间的转化 | 第33-34页 |
| 2.4 S参数的测量方法 | 第34-36页 |
| 第三章 TRL校准原理及TRL测试架设计 | 第36-46页 |
| 3.1 TRL校准法原理 | 第36-39页 |
| 3.2 TRL校准件的设计要求 | 第39-40页 |
| 3.2.1 直通校准件（Through） | 第39页 |
| 3.2.2 反射校准件（Reflect） | 第39页 |
| 3.2.3 传输线校准件（Line） | 第39-40页 |
| 3.3 TRL校准件的设计 | 第40-41页 |
| 3.3.1 直通校准件（Through）的设计 | 第40页 |
| 3.3.2 反射校准件（Reflect）的设计 | 第40-41页 |
| 3.3.3 传输线校准件（Line）的设计 | 第41页 |
| 3.4 通过TRL校准测量芯片的S参数 | 第41-46页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型的建立与验证 | 第46-62页 |
| 4.1 AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型的建立 | 第46-48页 |
| 4.2 AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型参数的物理意义 | 第48-51页 |
| 4.3 小信号等效电路模型参数的提取 | 第51-57页 |
| 4.3.1 寄生电容的提取 | 第51-52页 |
| 4.3.2 寄生电感和寄生电阻的提取 | 第52-54页 |
| 4.3.3 本征参数的提取 | 第54-57页 |
| 4.4 小信号等效电路模型及模型参数的验证 | 第57-62页 |
| 第五章 AlGaN/GaN HEMT器件大信号模型的建立与验证 | 第62-74页 |
| 5.1 几种建立大信号模型常用的方法 | 第62-63页 |
| 5.1.1 物理分析模型 | 第62页 |
| 5.1.2 表格基模型 | 第62-63页 |
| 5.1.3 等效电路模型 | 第63页 |
| 5.2 常见的大信号等效电路模型 | 第63-69页 |
| 5.2.1 Curtice立方模型 | 第63-65页 |
| 5.2.2 Statz等效电路模型 | 第65-66页 |
| 5.2.3 Angelov等效电路模型 | 第66-67页 |
| 5.2.4 CPC等效电路模型 | 第67-68页 |
| 5.2.5 EEHEMT模 | 第68-69页 |
| 5.3 大信号模型参数的提取 | 第69-72页 |
| 5.4 EEHEMT模型参数的验证 | 第72-74页 |
| 第六章 总结与展望 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 作者简介 | 第82-83页 |
