| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 主要符号表 | 第16-18页 |
| 1 绪论 | 第18-33页 |
| 1.1 研究背景 | 第18-26页 |
| 1.2 GaN MOSFET的国内外研究现状 | 第26-30页 |
| 1.3 研究思想及研究内容 | 第30-33页 |
| 2 GaN MOSFET器件设计及制作工艺研究 | 第33-53页 |
| 2.1 引言 | 第33-34页 |
| 2.2 GaN MOSFET的工作原理及结构设计 | 第34-39页 |
| 2.2.1 离子注入工艺的GaN MOSFET | 第35页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaN异质结结构的GaN MOSFET | 第35-39页 |
| 2.3 GaN MOSFET的版图设计 | 第39-41页 |
| 2.4 GaN MOSFET的工艺设计及实验 | 第41-52页 |
| 2.4.1 AlGaN/GaN异质结上GaN MOSFET工艺实现 | 第41-44页 |
| 2.4.2 沟槽干法刻蚀工艺的优化 | 第44-52页 |
| 2.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 3 GaN MOSFET迁移率及界面态评价方法的研究与改进 | 第53-86页 |
| 3.1 引言 | 第53页 |
| 3.2 GaN MOSFET的评价测试内容 | 第53-54页 |
| 3.3 GaN MOSFET沟道迁移率评价方法的研究与改进 | 第54-74页 |
| 3.3.1 MOSFET中的迁移率 | 第54-56页 |
| 3.3.2 C-G_M法提取沟道迁移率的原理及问题 | 第56-65页 |
| 3.3.3 GaN MOSFET沟道迁移率评价方法的改进 | 第65-74页 |
| 3.4 GaN MOS结构界面态密度评价方法研究 | 第74-85页 |
| 3.4.1 基于MOSFET的I-V方法 | 第74-78页 |
| 3.4.2 基于MOS二极管的C-V方法 | 第78-85页 |
| 3.5 本章小结 | 第85-86页 |
| 4 AlGaN/GaN异质结结构GaN MOSFET的工艺优化研究 | 第86-109页 |
| 4.1 引言 | 第86-87页 |
| 4.2 干法刻蚀阻挡层种类对器件性能影响 | 第87-89页 |
| 4.3 干法刻蚀气体种类和刻蚀步骤对器件性能的影响 | 第89-93页 |
| 4.4 干法刻蚀功率对器件性能的影响 | 第93-99页 |
| 4.5 栅氧化层种类及其厚度对器件性能的影响 | 第99-102页 |
| 4.6 器件阈值电压及界面电荷的分析与研究 | 第102-105页 |
| 4.7 表面处理工艺及增强型器件的制作研究 | 第105-108页 |
| 4.8 本章小结 | 第108-109页 |
| 5 先栅及自对准结构GaN MOSFET的设计研究 | 第109-126页 |
| 5.1 引言 | 第109-111页 |
| 5.2 先栅结构GaN MOSFET的工艺设计 | 第111-115页 |
| 5.3 先栅结构GaN MOSFET的测试评价 | 第115-116页 |
| 5.4 自对准结构GaN MOSFET的工艺设计 | 第116-118页 |
| 5.5 自对准结构GaN MOSFET的测试评价 | 第118-120页 |
| 5.6 自对准结构AlGaN/GaN HEMT的工艺设计 | 第120-122页 |
| 5.7 自对准结构AlGaN/GaN HEMT的测试评价 | 第122-125页 |
| 5.8 本章小结 | 第125-126页 |
| 6 结论与展望 | 第126-129页 |
| 6.1 结论 | 第126-128页 |
| 6.2 创新点摘要 | 第128页 |
| 6.3 展望 | 第128-129页 |
| 参考文献 | 第129-137页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第137-140页 |
| 致谢 | 第140-141页 |
| 作者简介 | 第141页 |
