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3d过渡金属掺杂氮化铜的第一性原理研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
专用术语注释表第8-9页
第一章 绪论第9-17页
    1.1 引言第9页
    1.2 氮化铜(Cu_3N)的结构和性能第9-11页
    1.3 Cu_3N 的实验制备第11-12页
        1.3.1 Cu_3N 的实验制备方法第11页
        1.3.2 磁控溅射制备的原理第11-12页
    1.4 Cu_3N 的应用第12-13页
        1.4.1 光存储第12页
        1.4.2 电子元器件第12页
        1.4.3 太阳能电池第12页
        1.4.4 其他应用第12-13页
    1.5 Cu_3N 及其掺杂研究进展第13-15页
        1.5.1 实验研究进展第13-14页
        1.5.2 理论研究进展第14-15页
    1.6 本论文的研究内容第15-17页
第二章 理论基础和计算软件介绍第17-23页
    2.1 密度泛函理论第17-19页
        2.1.1 Hohenberg-Kohn 定理第17-18页
        2.1.2 Kohn-Sham 方程第18-19页
    2.2 交换相关势能第19-20页
        2.2.1 局域密度近似(LDA)第19-20页
        2.2.2 广义梯度近似(GGA)第20页
    2.3 全势线性缀加平面波法(FLAPW)第20页
    2.4 计算软件介绍第20-22页
        2.4.1 WIEN2k 软件介绍第20-21页
        2.4.2 XCrySDen 程序介绍第21-22页
    2.5 本章小结第22-23页
第三章 总体计算参数设置和结构优化第23-27页
    3.1 总体计算参数的设置第23-24页
    3.2 结构优化第24-26页
        3.2.1 Cu_3N 结构优化结果第24-25页
        3.2.2 Cu_3NM 结构优化结果第25-26页
    3.3 本章小结第26-27页
第四章 Cu_3N 和 Cu_3NM 的电学性质第27-37页
    4.1 态密度第27-30页
        4.1.1 态密度的概念第27页
        4.1.2 态密度计算参数及步骤第27-28页
        4.1.3 态密度计算结果分析第28-30页
    4.2 能带结构第30-33页
        4.2.1 能带结构的概念第30页
        4.2.2 能带结构计算参数设置及步骤第30-31页
        4.2.3 能带结构计算结果分析第31-33页
    4.3 电荷密度第33-35页
        4.3.1 电荷密度计算参数及步骤第33-34页
        4.3.2 Cu_3N 的电荷密度分析第34页
        4.3.3 Cu_3N 和 Cu_3NM 的电荷密度对比分析第34-35页
    4.4 本章小结第35-37页
第五章 Cu_3N 和 Cu_3NM 的力学性质和光学性质第37-45页
    5.1 结合能第37-38页
        5.1.1 结合能的概念第37页
        5.1.2 Cu_3N 和 Cu_3NM 结合能计算结果分析第37-38页
    5.2 弹性系数及相关参量第38-41页
        5.2.1 弹性系数及相关参量的概念第38-39页
        5.2.2 弹性系数及相关参量的计算步骤第39-40页
        5.2.3 Cu_3N 及 Cu_3NM 弹性性质计算结果对比分析第40-41页
    5.3 光学复介电函数第41-44页
        5.3.1 光学复介电函数的概念第41-42页
        5.3.2 光学复介电函数计算结果分析第42-44页
    5.4 本章小结第44-45页
第六章 结论与展望第45-47页
    6.1 主要结论第45-46页
    6.2 需要进一步研究的问题第46-47页
参考文献第47-50页
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文第50-51页
附录2 攻读硕士学位期间申请的专利第51-52页
附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目第52-53页
致谢第53页

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